脈衝(chong) 選擇器也稱Q開關(guan) ，屬於(yu) 電光調製器一類；常用於(yu) 光脈衝(chong) 能量放大、cavity-dumped laser、再生放大、材料加熱、五維信息存
儲(chu) 、時域熱反射測量、調頻、光通信等領域；
脈衝(chong) 選擇器如以下幾部分組成：脈衝(chong) 激光器、分光棱鏡、格蘭(lan) 棱鏡、電光調製器（普克爾盒）、調製器驅動等；
如上圖所示，脈衝(chong) 激光經過棱鏡分為(wei) 兩(liang) 束，經過格蘭(lan) 棱鏡後，以一定的偏振態入射EOM後，由於(yu) 電致晶體(ti) 產(chan) 生電光效應，使出射光發
生偏轉，以合適偏振態透過棱鏡；另外一束光在探測器上產(chan) 生電信號，電信經過調製器驅動處理、放大後，給EOM提供驅動提供參考
信號，驅動根據參考信號輸出高壓脈衝(chong) 信號，在調製器上產(chan) 生電光效應；
給晶體(ti) 施加電壓，電場導致晶體(ti) 中分子發生取向，呈現各向異性，產(chan) 生雙折射，使尋常光與(yu) 非尋常光折射率呈現差異，最終表現光束偏
轉。折射率變化與(yu) 電壓呈線性關(guan) 係的稱為(wei) 普克爾效應；而常用的非線性晶體(ti) KTP被用來做普克爾盒；
目前，普克爾盒常用晶體(ti) 的半波電壓基本在1000V~1800V之間，但是比較通用的驅動芯片MOSFET耐壓值大多小於(yu) 1000V，而
MOSFET由於(yu) 自身工藝導致開關(guan) 頻率又做不快，通常在幾百KHz，而cmos晶體(ti) 管的工作頻率可以達到幾十MHz，但是常見管子的耐
壓值又比較低，隻有700V左右；
一款優(you) 秀的脈衝(chong) 選擇係統對於(yu) 晶體(ti) 來說，需要考慮半波電壓、工作頻率、透過率等，但是目前最大局限還是半波電壓稍高，給驅動設計
帶來很高的要求；對於(yu) 另一個(ge) 核心部件，驅動需要接受外部幾十MHz的驅動信號，同時需要輸出幾千伏的驅動信號，問題是最大能輸
出多大頻率。
在脈衝(chong) 選擇實驗中，我們(men) 實測驅動輸出最大電壓可以達到2Kv,並且在1.7Kv可以達到3MHz的電信號；本次實驗中使用KTP晶體(ti) 的普克
爾盒，半波電壓1400V@1064nm，1064nm的飛秒激光器重頻80Mhz，脈衝(chong) 序列如下所示
脈衝(chong) 激光序列
外部調製信號重頻100KHz時，脈寬分別為(wei) 300ns、30ns、15ns，可以正確選出脈衝(chong) ，如下圖所示
調製信號頻率100KHz如下所示
在測試其他頻率時，最大測試調製頻率可達4MHz,皆可以正常選出脈衝(chong) ；
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