MoS2薄膜作為(wei) 一種優(you) 秀的固體(ti) 潤滑膜，可以顯著降低氧化鋯的含量和納米機電係統的摩擦與(yu) 粘附。原子層沉積（ALD）作為(wei) 一種表麵
控製方法，為(wei) MoS2的国产成人在线观看免费网站提供了一種靈活的途徑。在此研究中，ALD在基片上沉積的MoS2薄膜用等離子體(ti) 輔助工藝研究可控摩擦。
首先，ALD製備了1~5層層控MoS2薄膜，而摩擦隨著層數的增加而減少。並且，沉積在Al2O3基地上的額MoS2的平均摩擦力用1 個(ge)
ALD循環等離子體(ti) 處理10s其值達到最低。基地表麵上的官能團可以是經等離子體(ti) 處理之後而得到，並且通過控製MoS2第一層的生長
來控製MoS2單分子層的摩擦特性。
摩擦力會(hui) 造成很大的能量損失和磨損，從(cong) 而對人類社會(hui) 的發展造成影響。久而久之，摩擦力的存在給現在很多關(guan) 鍵技術的發展造成了瓶
頸，此時，MoS2固體(ti) 潤滑劑的發現被国产成人在线观看免费网站於(yu) 抗磨性和耐磨性的研究。MoS2薄膜作為(wei) 一種性能優(you) 異的固體(ti) 潤滑膜可很大程度的降低納
米機電係統的摩擦和粘附。在此研究中，運用了一種原子層沉積法（ALD），由於(yu) 其優(you) 異的機械靈活性、良好的熱穩定性和低的自由能
等特點，此方法作為(wei) 一種表麵控製薄膜製備技術被廣泛国产成人在线观看免费网站於(yu) 二維MoS2薄膜的合成。MoS2薄膜通過等離子輔助過程沉積在基地物上
而被用於(yu) 控製摩擦力。
首先，通過ALD在Al2O3襯底上沉積的MoS2薄膜的層數可以直接由ALD循環次數控製。通過使用拉曼光譜（XperRam C，
Nanobase，532nm激光光源下，激光光斑尺寸為(wei) 1mm，功率為(wei) 0.6mW）證明了薄膜層數和ALD圈數之間成線性關(guan) 係，且隨著薄膜
層數的增加摩擦減少，即隨著MoS2厚度的增加，受基地影響的的2D MoS2的層相關(guan) 摩擦性能減弱，如圖1（a）和圖1（b）所示。除
此之外，通過高斯公式計算摩擦力的分布可以得到每次等離子處理的平均摩擦力，且發現等離子處理10s的Al2O3基地上沉積的MoS2
的平均摩擦為(wei) 1個(ge) ALD循環，並且其值最低，如圖1（c）所示。基地表麵上的官能團可以通過O2等離子處理獲得，因為(wei) O2等離子體(ti) 處
理可有效增加Al2O3基地上的槍羥基的數目，即等離子體(ti) 處理可以增加基地表麵活性位點的數量，其可控製ALD上MoS2第一層的生
長，因此單層MoS2的摩擦特性可以被控製。最後，等離子體(ti) 處理對ALD上MoS2中間生長階段的影響相對較弱，隻有經過等離子體(ti) 處
理的單層才可通過ALD影響MoS2的生長，如圖1（d）所是。因此等離子體(ti) 處理對ALD上沉積的MoS2摩擦特性的控製作用僅(jin) 發生在生
長的初始階段。
圖1
（a）沉積在Al2O3上的MoS2薄膜從(cong) 1~5圈循環的拉曼光譜圖
（b）在15nN負載下，沉積在ALD上的薄膜在1~5圈循環下的摩擦力
（c）相對應的平均摩擦力
（d）相應的MoS2薄膜的水接觸角和粘附力
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