MOGLabs外腔半導體(ti) 激光器有這樣一個(ge) 參數——Mode-hop free，稱為(wei) 無跳模，那麽(me) 半導體(ti) 激光器為(wei) 什麽(me) 會(hui) 發生跳模呢？
什麽(me) 是激光跳模？
大多數外腔半導體(ti) 激光器（ECDL）麵臨(lin) 的一個(ge) 問題是二極管內(nei) 腔模式、光柵（或濾光片）和外腔模式的色散之間的競爭(zheng) 。這些元件隨溫度、腔長或光柵（或濾光片）角度的變化體(ti) 現出的不同模式表現，限製了激光頻率的穩定性和頻率可連續調諧的範圍。
首先需要知道的是在激光器諧振腔內(nei) 部會(hui) 發生模式競爭(zheng) ，雖然各模式的頻率不同，但使用相同的反轉粒子數，因此在均勻加寬的激光器中，滿足閾值條件的縱模在振蕩過程中相互競爭(zheng) ，導致隻有相對靠近中心頻率的縱模取勝，而其他模式都被抑製。
而跳模正是因為(wei) 模式競爭(zheng) 而引發的。如下圖所示，在圖（a）中νq相比νq+1更靠近中心頻率ν0，因此在模式競爭(zheng) 中νq取勝，激光器輸出激光頻率即為(wei) νq。但是由於(yu) 半導體(ti) 激光器的輸出頻率受到溫度以及腔長的影響，當腔內(nei) 溫度升高，放電管熱膨脹，粘在放電管兩(liang) 端的反射鏡片距離增加，即腔長變長，而縱模的頻率由如下公式決(jue) 定：
因此當腔長L變長後，頻率整體(ti) 向低頻方向移動，如圖（b）所示，此時由於(yu) νq+1相比νq更靠近中心頻率ν0，對於(yu) 激光器來說輸出頻率從(cong) 本來的νq突變為(wei) νq+1的激光，這就發生了一次跳模。由駐波條件可知腔長
即半波長的整
數倍，兩(liang) 個(ge) 本征縱模頻率間隔為(wei) 
激光頻率在
範圍內(nei) 來回變化。
上圖中表示外腔半導體(ti) 激光器的各種頻率相關(guan) 因素的示意圖。淨增益是半導體(ti) 增益、光柵（濾光片）、以及內(nei) 外腔的綜合產(chan) 物，圖中黑色曲線的一個(ge) 個(ge) 峰代表不同的模式。在相鄰的外腔模式下，淨增益可以非常相似。當腔內(nei) 模式或光柵（濾光片）角度的微小變化，會(hui) 導致與(yu) 目前激光器振蕩模式相比，相鄰模式的整體(ti) 增益更大，激光器就會(hui) 跳轉到更該高增益模式，即發生了跳模。
半導體(ti) 激光器跳模現象多由溫度和電流的改變引起。半導體(ti) 的禁帶寬度隨溫度升高更變窄，溫度升高時，半導激光器的發射波長以階梯形式跳躍變化。同樣，注入電流的變化會(hui) 導致載流子濃度的變化，從(cong) 而引起材料折射率和增益係數的改變，也會(hui) 使激光器的發射波長以階梯形式跳躍變化。
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