中文：速率方程；英文：rate equation

导体P的稳态速率方程为：式中P0为激发时圆偏振度。τr和τs分别为复合寿命和自旋寿命。这种极化可以在磁场中进一步研究。事实上，对于相对于样品施加的面外场，塞曼效应将分裂自旋水平。这导致读出偏振不平衡，即使是线偏振光，这一结果可用于研究磁场与材料中载流子自旋的耦合程度。注意，复合寿命与自旋寿命的比值决定了在半导体系统中观察光学取向的能力。随着比值的增大，P的量减小。这就是这种测量方法的局限性，如果τs≪τr，这种测量方法就不适合研究半导体系统中的光学自旋特性。时间分辨测量使用脉冲激光的时间分辨研究可以绕过稳态测量的限制，允许直接测量系统中的载流子动力学。时间分辨光致发光(TRPL)和瞬态反射(T ...

步耦合设计的速率方程模型和从Schrödinger-Poisson求解器获得的参数11进行常规设计的寿命的计算结果可以验证这一点，如图5b。激光上态寿命的减小和电子在注入器内的积累的减缓，导致在有源区电压升高较高，而在注入器上电压升高较低。此外，与传统的反交叉对角线设计相比，该设计具有更大的动态电压范围，这可以从图中所示的光电压电流密度特性中看出。5a_x0005_。从激光阈值到翻转点的电压范围几乎是阈值处施加电压的30%，而传统设计则小于10%简单地说，更大的电压动态范围和在有源区域上更大的电压增加有助于更宽的电压诱导波长调谐范围，即100 cm−1。图5在实际国产成人在线观看免费网站中，质量控制激光器的性能一 ...

尼偏移。通过速率方程分析，我们可以发现如下的相互关系：包括光子寿命、约束因子、增益、增益导数和随载流子和光子密度的变化、载流子损耗和自发产生的光子速率。图3 1.55um VCSEL的小信号调制性能，提高了调制带宽和温度范围。在25℃时，超过12ghz的调制带宽可以被描述为(a)，甚至在85℃的高温下(b)10ghz的调制带宽可用。由于参考激光器和VCSEL具有相同的芯片布局，仅改变了外延特性，我们可以推断出更高的应变和模态增益偏移明显提高了差分增益，从而将K因子从0.4ns降低到0.3ns，从而提高了阻尼极限。尽管在室温下增加了阻尼偏移，但调制性能，特别是在较高温度下，明显优于参考激光器。图 ...

CSELs的速率方程分析，fr可表示为D因子量化了谐振频率随电流的增加，在图8(b)中由低自热状态下电流的fr(I)斜率确定。在本例中，器件的D因子为1.7GHz/mA1/2，Max谐振频率为5.81GHz。线性拟合曲线的弯曲是由于在19mA偏置电流下发生的热阻尼效应。相对较小的d因子可能是由于并入气隙导致的大腔长以及对MEMSDBR的高穿透深度和大电流孔径。为了进一步提高S21响应的3db带宽，需要更大的d因子。采用更短的腔长设计、微调DBR电介质的折射率、减小孔径尺寸以及通过适当的电弧减小光学损耗等措施可以改善该特性。|H(f)|2的3db角频率相对于高于阈值的电流的平方根也绘制在图8(c ...