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A/cm2，斜率效率接近阈值2.16 W/ a。连续波和脉冲操作的RT和WPE分别为6%和10%。在3.3 ~ 3.6 μm范围内，λ~3.56 μm和λ~3.39 μm处的大RT功率为437 mW，连续功率为403mW。λ~3.7 μm时，脊宽为3 μm，腔长为5mm的QCL在室温下的连续波输出功率为2.8 mW。对于任何QCL来说，3.02 μm的发射波长是显示连续波运行的短波长。图3.3-4 μm波长范围内QCL的P-I-V性能4. λ~6-10 μm的宽带QCL在5 ~ 11 μm的光谱范围内，尤其富含NO、CH4、N2O、CO2、NH3等气体的吸收谱线。要实现全范围的中红外光谱，需要 ...
的峰激光器和斜率效率1W/ a以及温度性能T0=170 K与同类波长的z佳QC激光器然而，在T=295 K时，它们显示出更高的阈值电流密度3.5 kA/cm2。我们将此归因于早期的导通电压和伴随的泄漏电流，因为在耦合状态和注入器状态之间实现强隧穿之前，电子从耦合状态跃迁到活性区域的较低状态。对结构的进一步改进将优化增益以获得较低的施加电压并降低掺杂密度。了解更多详情，请访问上海昊量光电的官方网页：https://www.auniontech.com/three-level-106.html更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限国产黄色在线观看是光电国产欧美在线专业代理商，产 ...
极化泵的调制斜率效率分别线性拟合为0.62 nJ和0.64 nJ。由于 1.38 um泵浦光子具有比QW带隙更高的能量，因此由于不存在偏振依赖，预计TM和TE极化泵浦脉冲都将诱导带间跃迁。因此，我们期望TM和TE泵都能产生相同的恢复寿命和调制效率。而图2中两种恢复曲线的微小差异可能是由实验不确定性引起的，我们不能排除TM和TE偏振近红外脉冲在QCL波导中不同模式尺寸的贡献。由于TE极化泵浦的模式略大，与TM极化泵浦相比，TE极化泵浦与QCL波导的耦合效率更高，与中红外脉冲的模式重叠也更好。为了证明泵浦能量依赖的调制深度和恢复寿命，我们比较了使用不同能量(340 pJ和595 pJ) TE极化泵 ...
cm2,和斜率效率/发电能力为1542兆瓦,114兆瓦时的总光输出功率得到了在288 K的阈值电流密度0.755 kA / cm2,斜率效率1079 mW /,和一个阈值电流密度0.83 kA / cm2,斜率效率879 mW /,和总输出功率74兆瓦的实现在298 K cw操作演示了303 K的温度,总光功率为45 mW，斜率效率为612 mW/ a。在303 K时，阈值电流密度仍然只有0.874 kA/cm2。Jth随测试温度的变化曲线拟合为Jth=J0 exp T/T0的经验指数函数。拟合结果J0= 0.08 kA/cm2，接近文献中使用MBE生长构建的类似QCL的0.07 kA/cm ...
收功率中提取斜率效率，并注意到提高了20%，达到1.3 _x0005_ Ith。然而，此后光脉冲变得不稳定，导致斜率效率在1.3 _x0005_ Ith以上下降了60%。这表明蚀刻收缩引入的散射不足以完全抑制高功率水平下的不稳定性。图4为了进一步增加高阶横向模所经历的损耗，我们用Pt填充沟槽并重复相同的实验。图3显示了FIB和Pt填充前后器件的光电流-电压（LIV）特性。“前”曲线中的扭结和功率噪声是由脉冲波动（见图3底部插图）和指向不稳定造成的，因为当光束转向时，探测器上收集的光变少了。处理后得到的曲线没有噪声和扭结，从接收到的超过300个脉冲的平均输出功率测量的斜率效率提高了65%，这是脉 ...
，z终提高了斜率效率，降低了阈值电流密度。有源区设计基于三个量子阱，采用两个共振纵向光学（LO）声子散射来减少低激光能级的填充。这种相对较低的电压缺陷也有利于低温下的WPE。图2采用应变平衡的In0.66Ga0.34As/Al0.69In0.31As材料，通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）在InP衬底上生长了QCL结构，该结构由低损耗的InP基波导包层组成，包层位于43个重复的注入/活性区序列之上。每个注入区掺杂片密度为1*1011cm-1。采用传统的III-V型半导体加工技术制备了脊宽为13.5 ~ 21.5 mm的脊波导激光器。采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）沉积0.3 m ...
对激光阈值和斜率效率都有贡献，因此以不同的方式影响激光的操作。从脉冲和连续模式下阈值电流的比较[见图4(c)]，我们可以估计相对于散热器的活性区域温度的增加约25 K，我们假设在低占空比（<1%）的脉冲模式下工作时，器件没有发生明显的加热。分布式反馈激光器已经由与DFB-C工艺相同的材料制成。波导核心在有源区两侧包括InGaAs包层，以增加光约束。我们的dfb利用了波导的这一特性，在波导InGaAs包层中蚀刻一个周期图案，随后再生长InP低折射率层作为光波导的顶部包层。在另一种方案中，牺牲InGaAs蚀刻层在距离有源核心一定距离的地方生长，中间有一个InP缓冲层。这使我们能够使用选择性蚀 ...
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