量子級聯激光器-長波紅外（λ>6 μm）的材料與(yu) 製造封裝MOCVD特別適合生長非常厚的層，通常包括在QCL結構中，需要很長的生長時間。為(wei) 了得到非常尖銳的多量子阱界麵，對襯底溫度、界麵切換機製、生長速率、V/III比等生長參數進行了迭代生長條件優(you) 化。雖然還沒有完全解釋，界麵粗糙度肯定在QCL性能的定義(yi) 中起作用。模擬和實測x射線衍射曲線對比如圖1所示。測量是在用於(yu) MWIR QCL設計的InGaAs/InAlAs多層材料上進行的，生長應變分別為(wei) ~ 1%的拉伸/壓縮應變平衡。總的來說，需要在完整的結構中實現少量的殘餘(yu) 應變，並且x射線圖中的衛星峰需要窄才能認為(wei) 材料質量好。仿真曲線與(yu) 實驗曲線吻合較好 ...
量子級聯激光器-長波紅外（λ>6 μm）的製造性能展示到目前為(wei) 止，在λ = 6-8 μm範圍內(nei) ，已經實現了長波長的高功率（pto bbb1w）工作。當波長達到λ = 9 μm （pto = 0.5 W）時，性能顯著提高，而當波長超過9 μm時，性能迅速下降。本文總結了波長為(wei) λ = 6.1 μm （QCL-A）、λ = 7.3 μm （QCL-B）、λ = 7.8 μm （QCL-C）和λ = 8.9 μm （QCL-D）的激光器的實驗結果。這些器件的激光器結構基本上是相似的，包括與(yu) InP襯底相匹配的多阱InGaAs/InAlAs有源區域晶格，以及所謂的結合-連續體(ti) 或等效方式的四個(ge) 或更多有 ...
波長的中紅外量子級聯激光器（QCL Laser）、激光模組及激光管。 ...
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