本研究所采用分子束外延法在InP衬底上生长了所研究的激光器。高速1.55umVCSEL结构是其他高速器件的改进版本，具有优化的有源区域、失谐、镜像反射率和掺杂水平。激光芯片的示意图如图1所示。BCB用作低介电常数钝化，以实现高速运行。外延输出镜由32对无基波吸收的InGaAlAs和InAlAs组成。为了在高温下实现高速运行和足够的增益，有源区由7个厚度为6纳米的重应变InAlGaAs量子阱组成。在接近临界层厚度的边缘处，将应变调整为压缩应变的2.5%（拟晶）。这将提高增益和差分增益，从而实现低阈值电流和高弛豫振荡频率。模式增益偏置针对高温行为进行了优化。因此，可以得到负T0值，即该器件在60℃ ...
联激光器通过分子束外延MBE和MOCVD两种方法生长的量子微电子管的室温连续工作结果令人鼓舞，但进一步的性能有望使量子微电子管更适合实际国产成人在线观看免费网站系统。在所有需要改进的器件参数中，特别需要更低的阈值电流密度，因为它可以使器件消耗更少的总功率，并有可能提高壁插效率。我们报告了5.07 um的mocvd生长QC激光器，具有BH再生结构和下行安装，其室温连续波阈值电流密度低于所有这些先前报道的结果。本文提出的QCL结构是通过低压MOCVD生长的。有源区域结构与文献中报道的设计非常相似，但对波导结构进行了一些修改，如下所述。一个周期的层序为：从注入层阻挡层厚度开始，以纳米为单位：4.0/1.26/ 1.3/ ...
Cho首创的分子束外延（MBE）进行的初始材料开发工作近年来已扩展到更标准的工业平台，用于材料生长，金属有机化学气相沉积（MOCVD）mocvd生长的QC激光器已经迅速达到了与mbegrow设备相当的RT性能，并且在RT后不久就显示出连续运行MOCVD生长的qcl在中波红外（MWIR）13和长波红外（LWIR）波长下的高功率连续工作已经被证明。尽管qcl具有巨大的前景，但直到z近，复杂的结构和制造qcl的困难使这些设备仅仅是实验室工具。z近的进展主要是为了提高MWIR的电光转换效率，这极大地促进了技术从实验室到工业的转移。我们团队的研究成果在功率输出和插拔效率方面取得了飞跃，z终可以实现这些设 ...
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