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Rs) 。电场灵敏度低至1Vm−1Hz−1/2已被证明，但由于大块晶体固有的相位失配特性，铌酸锂电光探测器的带宽受到限制。对于100GHz以上频率的电光采样，ZnTe和GaP提供了更大的带宽(ZnTe: fc = 3THz；GaP: fc = 7 THz)，但由于电光系数低于铌酸锂(ZnTe: r41 = 3.90 pm/V；GaP: r41 = 0.97 pm/V)。LN (LiNbO3)由于具有更大的电光系数，因此在电场的电光探测方面优于ZnTe和GaP。重要的是，薄膜LNOI通过适当设计光波导，可以实现太赫兹波信号和近红外波的完美相位匹配。此外，通过使用保偏光纤引导和耦合激光束进出探测器 ...
的情况下，电场灵敏度值约为10,000V/mHz0.5。使用具有更好动态范围70dB和设备中较低射频信号损耗的光谱仪，预计低至-55dBm的射频功率水平就能产生可检测信号，因此，使用我们目前的薄膜铌酸锂电光调制器设备，低至约100V/mHz0.5的电场值是可检测的。图8. 在10GHz、15GHz和20GHz下第1阶边带幅度的射频功率依赖性表1：射频功率检测阈值4．总结设计、制作了一种基于铌酸锂薄膜的电光调制器，并对其进行了表征。该平台包括薄层铌酸锂核心区域，二氧化硅底包层和氮化硅肋区域。每个用于将光耦合进出薄膜铌酸锂电光调制器的光栅耦合器具有5dB插入损耗和90nm带宽。具有0.7um间隙的 ...
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