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盒常用晶體(ti) 的半波電壓基本在1000V~1800V之間,但是比較通用的驅動芯片MOSFET耐壓值大多小於(yu) 1000V,而MOSFET由於(yu) 自身工藝導致開關(guan) 頻率又做不快,通常在幾百KHz,而CMOS晶體(ti) 管的工作頻率可以達到幾十MHz,但是常見管子的耐壓值又比較低,隻有700V左右;一款優(you) 秀的脈衝(chong) 選擇係統對於(yu) 晶體(ti) 來說,需要考慮半波電壓、工作頻率、透過率等,但是目前最大局限還是半波電壓稍高,給驅動設計帶來很高的要求;對於(yu) 另一個(ge) 核心部件,驅動需要接受外部幾十MHz的驅動信號,同時需要輸出幾千伏的驅動信號,問題是最大能輸出多大頻率。在脈衝(chong) 選擇實驗中,我們(men) 實測驅動輸出最大電壓可以達到2Kv,並且在1.7Kv可以 ...
位延遲器件的半波電壓。-39.375 -39.375 1.750 1.631 1.641 0.928 1.032 1.720 1.922 1.886 2.102 0.985 2.349 1.878 -39.375 -38.125 1.750 0.910 0.920 0.937 1.026 1.725 1.918 1.870 2.102 0.975 2.318 1.855 -39.375 -36.875 1.750 1.631 1.641 1.660 1.752 1.730 1.913 1.855 2.102 0.966 2.289 1.834 -39.375 -35.625 1.750 0.9 ...
π/2)就是半波電壓。您可以通過我們(men) 的官方網站了解更多的国产欧美在线信息,或直接來電谘詢4006-888-532。 ...
的品質因數是半波電壓 。 它被定義(yi) 為(wei) 產(chan) 生 180° 電光相移所需的電壓。 代入前麵的等式得到需要注意的是,相位調製光束的特性與(yu) 任何其他相位調製載波的特性沒有任何區別。重要的是,相位調製不能與(yu) 頻率調製分開。周期信號的瞬時頻率定義(yi) 為(wei) 信號總相位的時間導數。因此,對於(yu) 相位調製信號其中 f(t) 是瞬時頻率,是信號的全局相位, 是光頻率。給定相位調製 =msinΩt 其中 m 是相位調製指數,正弦相位調製導致正弦頻率調製在固定頻率 ,但具有 90° 相位滯後和 2mΩ 的峰峰值偏移。相位調製場幅度可以表示為(wei) 一組傅裏葉分量,其中功率僅(jin) 存在於(yu) 離散光頻率處。其中k是整數,m是相位調製指數(調製深度),Jk(m ...
相比,可降低半波電壓。諧振電路的能量存儲(chu) 特性使這種降低的電壓要求成為(wei) 可能。例如,如果像以前一樣使用 4001 型諧振相位調製器來產(chan) 生 0.5 弧度的調製,則所需的功率將僅(jin) 為(wei) 有兩(liang) 個(ge) 因素限製了集總元件諧振器的性能。首先是電感器的功率處理能力。電感磁芯的飽和會(hui) 限製可用於(yu) 調製光束的 RF 輸入功率。此外,大部分功率耗散發生在電感器中,過多的輸入功率會(hui) 將其燒毀。其次,在大於(yu) 50 MHz 的頻率下,普通的集總電路元件很難製造。尺寸與(yu) 工作 (RF) 波長相當的電路是有效的輻射器,因此很難分析。此外,由於(yu) 集膚效應導致的輻射能量損失,傳(chuan) 統的線路電路往往具有高有效電阻。完全被導電金屬包圍的外殼限製了電磁場,並為(wei) ...
;普克爾盒的半波電壓與(yu) 施加電壓方向的晶體(ti) 長度相關(guan) ,所以縱向普克爾盒的半波電壓非常高(千伏),較高的電壓會(hui) 限製調製頻率升高;為(wei) 了達到更高的調製頻率需要降低半波電壓,而橫向普克爾盒的半波電壓不會(hui) 隨著晶體(ti) 的長度增加而而增加;如美國 Conoptics 国产黄色在线观看的普克爾盒的橫向半波電壓可以控製在一百伏左右,以此製備出了低壓高調製頻率的普克爾盒電光調製器。普克爾盒可對線偏振入射光進行偏振調製,若在其後放置固定偏振方向的偏振片可光強調製。在使用普克爾盒電光調製器時應先確定調製電壓,調製電壓的高低電平置於(yu) 使入射光偏振旋轉0°和90°之間,這可通過在普克爾盒後方放置偏振片使光強處於(yu) 最強(偏振方向與(yu) 主軸同向)或最弱 ...
方案中當施加半波電壓時,強度達到zui大值。與(yu) 電壓呈正弦關(guan) 係(圖2)。四分之一波延遲電壓對應50%的傳(chuan) 輸電平。控製相對傳(chuan) 輸的方程。歸一化後的半波能級為(wei) :T = sin2 (xV/2Vx)圖1利用位於(yu) 交叉偏振器之間的電光調製器進行強度調製圖2顯示了在沒有光偏置或電偏置的情況下,在交叉偏振器之間工作的所有光電調製器的一般傳(chuan) 輸特性。該特性在調製器性能方麵的一個(ge) 關(guan) 鍵特性發生在zui小或零傳(chuan) 輸電平。空值是影響對比度(CR。也被稱為(wei) 消光比)。一種類似於(yu) 信噪比的量。CR=Imax/Imin其中Imax和Imin是zui大和zui小輸出強度。圖2 縱向e-o調製器和交叉偏振器的傳(chuan) 遞函數電光調製器也可以在平行偏 ...
稱為(wei) 調幅器的半波電壓Vπ。由於(yu) 推拉操作,調幅器的半波電壓是具有相等電極長度的相位調製器的半波電壓的一半。例如,在635 nm處可以預計紅色為(wei) 1.5 V,在約1550 nm的通信波長範圍內(nei) 為(wei) 5V。圖5:輸入/輸出指示燈圖6:振幅調製器特性曲線將射頻信號作為(wei) 調製電壓国产成人在线观看免费网站於(yu) 電極,該電壓輸入被轉換為(wei) 振幅信息。這個(ge) 振幅輸出取決(jue) 於(yu) 電壓的大小和形狀,因此與(yu) 調製器工作點的位置有關(guan) 。該圖描述了一個(ge) 二進製脈衝(chong) 電輸入到一個(ge) 二進製光輸出信號的傳(chuan) 輸。如果電壓電平不正確,即電壓過高或偏移量不正確,調製器將在二進製操作中與(yu) 不正確的光輸出電平或在模擬操作中與(yu) 更高的諧波發生反應。圖7:Mach-Zehnder振幅器操作圖8:電 ...
mm,測量的半波電壓-長度乘積Vπ.L等於(yu) 約4.5V·cm。在馬赫-曾德爾調製器中測量到的消光比(ER)約為(wei) 24dB。3. 高速調製特性圖5顯示了實驗裝置的示意圖。可調諧c波段激光器(Pure Photonics PPCL100)工作在1550 nm (193.5 THz),Max光功率為(wei) 13.5 dBm (22.4 mW)。光纖偏振控製器(ThorLabs .FPC560)是一種手動槳式控製器,調整後可提供垂直偏振光束。光學光譜分析儀(yi) (ID-Photonics ID-OSA-MPD-00)以1Hz的速率掃描C波段,分辨率帶寬為(wei) 1.7GHz,采樣間隔為(wei) 312.5MHz。OSA的動態範圍為(wei) 45d ...
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