光器采用埋置异质结构波导制备，用于高功率RT操作。激光条纹宽度一般在4 ~ 10 μm之间，空腔长度一般在3 ~ 5mm之间。在MOCVD生长完成后，通过化学刻蚀定义脊状波导，并在激光波导侧面重新生长绝缘Fe:InP。极化子C-V和霍尔测试已被用来确保Fe:InP是一个良好的电绝缘体。横向再生的目的是双重的：它允许激光模式的光学限制在横向方向，并有助于优化散热，通过改善在活跃区域产生的热量的横向传输，并通过平面化设备的顶面，从而允许向下安装激光器。通过电子束蒸发沉积顶部和底部触点金属，随后在顶部触点上电解镀一层厚金层，从而完成了器件的制造。这些器件被切成小块，铟被焊接到铜支架上，以获得非常佳的 ...
行蚀刻。埋藏异质结构的选择性生长和接触沉积完成了激光加工。图5图6单模器件的结果如图5所示，在15◦C下，我们从单个发射极获得了高达约Pout = 180 mW的连续功率。2毫米长的器件安装在正面朝下，并在高达60°C的连续波中工作，输出功率为10 mW。典型光谱如图6(a)所示，其中对数尺度表示30 db侧模抑制比。从连续波亚阈值光谱[图6(b)]，我们可以确定布拉格阻带的宽度，对应耦合强度的估计约为kL = 3.5。该值高于强耦合分布式反馈设备（kL = 1-2）的通常预期值。对光栅与光学模式耦合的更深入的探讨将在其他地方提出。发射波长与温度的相关性为λ/T = 0.4 nm/K，并且从连 ...
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