铁磁体和反铁磁体的异质结构对铁磁体和非磁性衬底之间界面的研究表明，与铁磁性衬底的相互作用可能在衬底中诱导长程铁磁有序，而其本身并不显示铁磁有序。感应磁化强度可以与铁磁体的磁化强度平行或反平行，这取决于交换相互作用的符号。这可能会导致铁磁层的产生，即使是在其整体形式是反铁磁的材料，如观察到的，如超薄的Cr膜在Fe上。在这种情况下，衬底中的长程顺序——无论是反铁磁体还是非磁性金属——是由与铁磁性衬底的相互作用决定的，并且可以预期它会显示出同样的温度依赖性。事实上，Mn对Ni的这种感应磁序的温度依赖性被研究了，发现与衬底的相同。当然，随着反铁磁层厚度的增加，整体反铁磁态将占上风，每一层将显示自己的有 ...
/Pt/Co异质结构中自旋反射诱导的无场磁化开关在这项研究中，我们证明了MgO/Pt/Co异质结构中的无场SOT开关，通过与介电MgO层接口来调制Pt内的自旋反射和自旋密度。通过异常霍尔电压环位移测量，我们确定在没有外部磁场的情况下，SOT作为有效的面外磁场对磁化强度起作用。通过替换MgO层并将其与高导电性Ti或Pt进行比较，我们证实MgO确实负责无场SOT开关。此外，MgO的厚度依赖性表明，在5和8 nm之间的非常佳的开关比高达80%。这项工作提供了利用介电/HM界面处的自旋反射来实现无场SOT磁化开关的技术，对于开发大规模集成的SOT- mram和自旋逻辑器件具有重要意义。此外，无场SOT ...
)As量子阱异质结构示意图。Ene表示导电带中电子的量子化能态。enh和Enlh分别是价带中重空穴和轻空穴的能态在自旋led实验中，通过直接比较电致发光在顶发射(电子自旋极化方向垂直于量子阱)和边发射(电子自旋极化方向在平面上)的圆极化，验证了这一效应。适用于10 nm和15 nm宽的量子阱在边缘发射几何结构中没有发现明显的圆极化，尽管在顶部发射中测量到了强烈的信号。然而，对于宽(体状)量子阱(d≥50 nm)，在边缘发射中甚至可以检测到圆极化，这表明与窄量子阱相比，由于量子约束减弱，重空穴自旋获得了面内分量因此，对于宽GaAs/(Al,Ga)As-QW系统，光学选择规则应该仍然允许边缘发射中 ...
以准确确定异质结构的多层膜结构;2）在医学方面的国产成人在线观看免费网站中，椭偏成像技术可以和很多生物技术相结合，实现各个层面的国产成人在线观看免费网站。例如与人工智能技术相结合实时监测病人身体的癌细胞，及时做出反应，配合医生对患者进行康复治疗；3）将椭偏成像技术的zui新发展实用化，研制可用于工业生产过程中使用的成像椭偏仪，在半导体、微电子等国产欧美在线的生产过程中实现实时监测；4）通过解决图像传感器的低频响应和降低系统噪声来减小图像采集的误差；5）建立包含成像椭偏仪的校准因素的系统模型, 以减小成像椭偏仪的测量误差;6）对半导体工业常用薄膜材料建立准确的物理模型, 以减小系统的计算误差;7）引入能够同步进行数据获取和数据处理的控制系统 ...
，晶格匹配对异质结构施加了限制，因为具有非常不同晶体结构的材料在组合时不能很好地耦合。传统的半导体也倾向于形成三维结构，使得不配对的键更容易存在于表面。这些悬空键不仅使这些系统中的表面物理更加难以控制，而且使这些材料的薄膜变成准二维(2D)结构。幸运的是，在过去的二十年里，一种新的材料出现了，它具有真正的二维性质和光学定向自旋的能力。了解更多详情，请访问上海昊量光电的官方网页：https://www.auniontech.com/three-level-150.html更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限国产黄色在线观看是光电国产欧美在线专业代理商，国产欧美在线包括各类激光器、光 ...
也可以在二维异质结构中进行逐层工程。这种工程方法可以通过结合相互补充的2D系统来利用。例如，在WSe2/Gr异质结构中，用于谷自旋操纵的大自旋-轨道耦合(WSe2)和用于电子器件的高电导(石墨烯)的配对对谷自旋动力学产生了新的影响。因此，逐层工程提出了一种很有前途的方法来构建具有增强控制和检测自旋现象的二维系统。这就促使人们寻找与传统半导体类似或更新颖的二维类似物，这些材料已经产生了大量的自旋电子研究。几种二维半导体具有适合低维自旋器件的特性，如高电子迁移率和可通过门控调节的载流子密度。例如，基于Gr的器件已经证明了长通道上的自旋输运和自旋进动，并且被预测在没有外场的情况下具有光学产生的自旋极 ...
寿命的半导体异质结构的金属有机化学气相沉积。图2图2中插入的图形显示了当我们改变泵浦脉冲能量时，中红外探头透射率(调制深度)的z大下降。利用TM极化泵，我们分别以86 pJ(平均功率21.5 uW)和600 pJ脉冲能量实现了4.3%和40%的调制深度。TM和TE极化泵的调制斜率效率分别线性拟合为0.62 nJ和0.64 nJ。由于 1.38 um泵浦光子具有比QW带隙更高的能量，因此由于不存在偏振依赖，预计TM和TE极化泵浦脉冲都将诱导带间跃迁。因此，我们期望TM和TE泵都能产生相同的恢复寿命和调制效率。而图2中两种恢复曲线的微小差异可能是由实验不确定性引起的，我们不能排除TM和TE偏振近红 ...
光器使用埋藏异质结构设计进行室温连续操作。在这封信中，我们报告了一个mocvd生长的室温连续波QC激光器异质结构。该激光器被加工成双通道脊状波导，顶部镀有厚厚的电镀金，从而省去了更复杂的横向InP再生步骤。图1.(a)基于双声子共振的具有四量子阱有源区的8.2-_x0016_m QC激光器的导带图的一部分和相关波函数的模平方。施加51kv /cm的电场。箭头表示激光跃迁。(b)基模强度分布图、层结构分布图和所用介质波导折射率实部分布图。激光主动式区域基于双声子共振设计。活跃区和注入器一个周期的层序为44/18/9/57/11/54/12/45/25/34/14/33/13/32/15/31/1 ...
杂质水平低，异质结界面光滑图2然后将生长的结构加工成埋藏异质结构激光器。通过光刻确定了7.5 um的脊宽，并使用标准Br2 /HBr基溶液湿法蚀刻通过活性区。通过MOCVD选择性再生，一层掺杂了Fe的厚InP在脊周围生长，作为电隔离层，也增强了从有源区域的侧向散热扫描电镜检测结果表明，再生的InP:Fe隔离层与边壁之间的界面光滑，无生长缺陷。Fe掺杂量选择在21017 cm−3以上，但低于沉淀浓度。合并的铁原子充当深层电子陷阱，因此在再生的InP:Fe层中基本上没有自由电子，导致激光脊周围的绝缘但光学透明的区域。图3然后用电子束蒸发的Ti/Pt/Au顶部接触金属，然后是5 um厚的电镀Au层， ...
作了具有埋置异质结构波导和固定腔长1.9 mm的激光器，在其背面涂覆高反射率涂层，并将外延面向上安装。图3图2a显示了台面样品在80k和300k下的电致发光光谱。与预期相反，本设计中的超强耦合对增益谱宽没有明显的负面影响，如果有的话。辐射跃迁展宽与z佳可比常规设计相似。在非激光平台样品上的电子传输特性（电流-电压特性）表征表明，与具有相似波长和片状掺杂密度的典型高性能传统设计相比，我们的超强耦合设计在大温度范围内具有更高的Max工作电流密度和更低的差分电阻（补充图S1）。代表性激光光谱如图2b所示；激光波长在低温下为4.5 mm，在室温下为4.7 mm。图4激光表征结果表明，与目前报道的在相似 ...
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