中文：退火；英文：annealing

气环境中进行退火以收缩RISFs（如图1a所示）[1]之后，对SiCPIN二极管进行了EL成像[1]。随着RISFs的扩张，从器件中收集到的EL从400nm到780nm，步长2nm，曝光时间为30s。使用IMA收集的单色图像可以将不同类别的缺陷分离开来。如图1b显示了RISFs的峰值发射，中心波长为424nm，图1c-d显示了534nm和720nm处的部分位错。图2中标有“1”和“2”的两个区域的光谱响应确认，PDs由于RISFs在424nm处有类似的尖锐发射，而在530-540nm处为较宽发射。通过结合光谱和空间信息，可以将后者的发射归因于可移动的硼杂质。图1、（a）SiC的PIN二极管的实 ...

SI)改性和退火。将打印后的器件在80℃的TFSI溶液中浸泡1 h，然后在400℃的Ar中退火，去除有机溶剂并降解衬底中的PVP。经过TFSI处理和退火处理的SiO2/Si衬底上印刷薄膜的拉曼光谱和光致发光(PL)光谱如图3a、b所示。在385.4和404.8 cm-1处的两个拉曼峰对应于MoS2面内E1 2g和面外A1g的振动模式。 E1 2g和A1g之间的拉曼位移约为19.4 cm-1，表明MoS2纳米片层数较少。TFSI修饰后，A1g的波数增加了约2 cm-2。这种A1g模式的转变可以解释为TFSI修饰了MoS2表面的缺陷。然而，E1 2g模式比A1g更不敏感，并且没有改变。在1.87和 ...

溅射和快速热退火在空气气氛下通过从Bi2Te3过渡到Bi2O2Te在低温下制备新型2D Bi2O2T材料。该技术被称为快速退火相变（RAPT）方法。（如图2）图2.RATP法制备二维Bi2O2Te的生长机理在这项工作中，通过RAPT方法制备了具有优异质量的大面积2D Bi2O2Te。现今人们对将2D材料与互补金属氧化物半导体CMOS集成非常感兴趣。然而，CVD生长所需的高温和在晶片尺度上2D材料的层转移的困难阻碍了2D材料在CMOS上的直接集成。相反，低温生长方法可以在CMOS平台上直接生长2D材料，大大的简化两种材料集成的过程。在这项工作中，基于400℃生长的2D Bi2O2Te制备并表征了 ...

S混合气氛中退火，退火去除官能团和Mo氧化物。然后，通过获取输出电压信号，观察滤波膜和退火膜对聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）的相对电荷极性。zui后，我们制备了一个PI/MoS2:PI/PI堆叠结构，用于确定水中剥离的MoS2薄片在可改善TENG性能的潜力。我们假设，由于在水中的剥离过程，MoS2的功函数增强，会影响PI/MoS2中捕获的电子数量，从而提高 TENG 性能。图 1.样品制备过程示意图。（a） MoS2散装粉末的剥离以及用于制造过滤MoS2的真空过滤工艺-片状薄膜。（b） 剥离MoS的扫描电子显微镜（SEM）图像2薄片 （c） 滤波后 MoS2的光学图像-铜基板上的薄膜。（d） ...

了氢氧化钴和退火纳米片样品中活性相的性质。从样品中采集了原位光谱（图5a），显示了多个相关物种。值得注意的是，在大约500和15000px-1处观察到两个主峰，明确Co（OH）2的存在。在470和17000px−1处出现了与CoO相对应的特征峰。该光谱中其他的较弱特征峰可能是 Co3O4的特征峰.这些结果与TEM和XPS结果非常吻合。在退火样品的拉曼光谱中，Co3O4的特征峰尤其明显。具体来说，尽管CoO和Co（OH）2的F2g模式（~200、520 和 610 cm−1）、Eg模式（~12000px−1）和 A1g模式（~17250px−1）的峰都存在，但退火后几乎完全转变为Co3O4的特征 ...