固体源分子束外延（MBE）或气源MBE生长的波长为9.1和4-6 um的QC激光器已经证明了室温连续波（CW）操作，这是紧凑型非低温激光源的重要里程碑。金属有机化学气相沉积（MOCVD）zui近引起了人们的研究兴趣，因为它是工业界第1选择的技术，并且在QC激光器的商业化方面有前景。据报道，MOCVD是一种高性能的QC激光生长技术，首先采用低阈值脉冲操作，zui近，MOCVD生长的7.2 m QC激光器和MOCVD生长的5.1 m应变QC激光器使用埋藏异质结构设计进行室温连续操作。在这封信中，我们报告了一个mocvd生长的室温连续波QC激光器异质结构。该激光器被加工成双通道脊状波导，顶部镀有厚厚 ...
局，仅改变了外延特性，我们可以推断出更高的应变和模态增益偏移明显提高了差分增益，从而将K因子从0.4ns降低到0.3ns，从而提高了阻尼极限。尽管在室温下增加了阻尼偏移，但调制性能，特别是在较高温度下，明显优于参考激光器。图4 导出了新设计与参考设计的k因子比较低阻尼和高带宽是通过降低k系数和适度的阻尼偏移来实现的，适用于所有相关的工作温度。高温操作所研究的VCSEL不是针对某一固定温度下的峰值性能设计的，而是针对非冷却运行进行了优化，具有优越的恒定性能。在参考设计中，8GHz调制带宽似乎是85℃时的极限。如图3(b)所示，3dB带宽现在在85℃时高达10GHz。此外，对于经典的分布式反馈激光 ...
所采用分子束外延法在InP衬底上生长了所研究的激光器。高速1.55umVCSEL结构是其他高速器件的改进版本，具有优化的有源区域、失谐、镜像反射率和掺杂水平。激光芯片的示意图如图1所示。BCB用作低介电常数钝化，以实现高速运行。外延输出镜由32对无基波吸收的InGaAlAs和InAlAs组成。为了在高温下实现高速运行和足够的增益，有源区由7个厚度为6纳米的重应变InAlGaAs量子阱组成。在接近临界层厚度的边缘处，将应变调整为压缩应变的2.5%（拟晶）。这将提高增益和差分增益，从而实现低阈值电流和高弛豫振荡频率。模式增益偏置针对高温行为进行了优化。因此，可以得到负T0值，即该器件在60℃散热器 ...
设计，加上对外延结构、台面尺寸和键合板电容等性能的精心优化，有助于Max限度地提高高达18 GHz的射频性能。结合低阈值电流，器件能够以28 Gb/s或更高的速率直接调制。VCSEL输出处的光学眼图如图1 (b)所示。接下来，28gb /s NRZ-OOK信号通过标准单模光纤（SMF）的几个线轴发射，即超过1公里，2公里，5公里和10公里的SMF。注意，链接中没有使用DCF。分别传输1公里、2公里、5公里和10公里后，每个光纤线轴输出处的光学眼图如图2 (c)-(f)所示。我们可以观察到，由于CD诱导的啁啾激光信号的相位到幅度转换，在传输到2公里后，眼睛的开口明显减小，并且在更远的传输距离（5 ...
现高速运行。外延输出镜由无基吸收的InGaAlAs-InAlAs层对组成。为了在高温下实现高速运行和足够的增益，有源区域由七个重应变量子阱（每个6纳米宽）组成，并具有针对高温行为优化的模式增益偏移。因此，可以得到负T0值，即在较高温度下阈值电流较低。这种效应是由于增益和腔模的红移随温度的不同而引起的。图1 高速1.55-um VCSEL的截面示意图插图：制作好的VCSEL器件图片因此，利用这一效应可以改善VCSEL器件的高温性能。InP是一种良好的热导体，由n包层组成，通过更好地冷却有源区域，也有助于实现高温操作。这些激光器的混合后镜由3.5对CaF2-ZnS和一层金组成。孔径为6um的器件在 ...
器通过分子束外延MBE和MOCVD两种方法生长的量子微电子管的室温连续工作结果令人鼓舞，但进一步的性能有望使量子微电子管更适合实际国产成人在线观看免费网站系统。在所有需要改进的器件参数中，特别需要更低的阈值电流密度，因为它可以使器件消耗更少的总功率，并有可能提高壁插效率。我们报告了5.07 um的mocvd生长QC激光器，具有BH再生结构和下行安装，其室温连续波阈值电流密度低于所有这些先前报道的结果。本文提出的QCL结构是通过低压MOCVD生长的。有源区域结构与文献中报道的设计非常相似，但对波导结构进行了一些修改，如下所述。一个周期的层序为：从注入层阻挡层厚度开始，以纳米为单位：4.0/1.26/ 1.3/ 4. ...
oS2的面内外延生长；因此，获得具有致密结构的高质量单层是非常有益的。二维过渡金属二硫族化物（2D TMDs）是一系列具有原子薄层结构的贵金属半导体。由于其非凡的电学、化学、热学和机械性能，2D TMDs具有发展成为电路中下一代电子元件的巨大潜力，如晶体管、存储器、二极管等，以合理的成本生产高质量单层TMD的可扩展和可控技术对其工业国产成人在线观看免费网站至关重要。然而，晶圆规模和高质量的2DTMD生长在实践中仍然是一个巨大的挑战。化学气相沉积（CVD）被认为是一种很有前途的制备可控层数的晶片级TMD膜的方法，很多研究针对生长温度、前驱体、晶种、反应增强等等生长因素进行了探讨。然而，在不同的实验室中，MoS2的尺 ...
要几个独立的外延生长和复杂的键合过程。HCG-VCSELs在极化控制、高速数据传输和高波长调谐速度方面具有广阔的国产成人在线观看免费网站前景；但广泛的可调性仍然是一个研究课题。另一方面，与电泵浦VCSEL相比，光泵浦可调谐VCSEL自然具有更短的腔，表现出非常宽的调谐范围。然而，直接调制是不可能的。通过采用表面微加工技术，我们已经为上一代VCSEL（未针对高速国产成人在线观看免费网站进行优化）展示了创纪录的102nm单模连续调谐。表面微加工消除了晶圆键合的需要，而是使用沉积的介电DBR反射镜，这一方面带来了更好的对准精度和更好的均匀性控制，另一方面促进了二维阵列的经济高效的批量生产。利用外部加热电流电热驱动MEMS DBR实现宽调谐 ...
在铜散热片的外延侧安装。此外，还制作了具有埋置异质结构波导和固定腔长1.9 mm的激光器，在其背面涂覆高反射率涂层，并将外延面向上安装。图3图2a显示了台面样品在80k和300k下的电致发光光谱。与预期相反，本设计中的超强耦合对增益谱宽没有明显的负面影响，如果有的话。辐射跃迁展宽与z佳可比常规设计相似。在非激光平台样品上的电子传输特性（电流-电压特性）表征表明，与具有相似波长和片状掺杂密度的典型高性能传统设计相比，我们的超强耦合设计在大温度范围内具有更高的Max工作电流密度和更低的差分电阻（补充图S1）。代表性激光光谱如图2b所示；激光波长在低温下为4.5 mm，在室温下为4.7 mm。图4激 ...
首创的分子束外延（MBE）进行的初始材料开发工作近年来已扩展到更标准的工业平台，用于材料生长，金属有机化学气相沉积（MOCVD）mocvd生长的QC激光器已经迅速达到了与mbegrow设备相当的RT性能，并且在RT后不久就显示出连续运行MOCVD生长的qcl在中波红外（MWIR）13和长波红外（LWIR）波长下的高功率连续工作已经被证明。尽管qcl具有巨大的前景，但直到z近，复杂的结构和制造qcl的困难使这些设备仅仅是实验室工具。z近的进展主要是为了提高MWIR的电光转换效率，这极大地促进了技术从实验室到工业的转移。我们团队的研究成果在功率输出和插拔效率方面取得了飞跃，z终可以实现这些设备的现 ...
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