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5×5 InGaAs 離散放大光子探測器陣列 (DAPD)

  • 5×5 InGaAs 離散放大光子探測器陣列 (DAPD)
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5x5近紅外光電探測器可實現近紅外光譜響應,950nm至1650nm,專為3D激光雷達国产成人在线观看免费网站而設計。

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5×5陣列,950~1650nm,具有溫度穩定功能的近紅外離散放大光子探測器陣列


近紅外離散放大光子探測器陣列(DAPD:Discrete Amplification photon detector)5×5陣列近紅外探測器,具有溫度穩定功能。DAPD 1550係列5x5近紅外光電探測器可實現近紅外光譜響應,950nm至1650nm、高速自淬火近紅外銦镓砷探測器5x5 Array,專(zhuan) 為(wei) 3D激光雷達国产成人在线观看免费网站而設計。DAPD NIR 5x5 Array探測器利用了突破性離散放大方法,該方法使用多通道放大和單片集成負反饋雪崩機製來放大低電平電信號。離散放大技術具有內(nei) 部放大功能,可提供非常高的增益(約100,000),這與(yu) 非常低的過量噪聲係數(低於(yu) 1.05)和快速響應(上升時間快於(yu) 0.6ns)相結合。這些特性使NIR陣列式光電探測器DAPD能夠檢測單光子,並優(you) 化極弱光水平的檢測。


離散放大InGaAs光子探測器陣列采用KOVAR材料製成的密封包裝,其中包括一個(ge) 低功率兩(liang) 級熱電冷卻器(TEC)和一個(ge) 熱敏電阻。該包裝允許DAPD探測器在寬環境溫度範圍內(nei) 工作,同時使1550係列5x5探測器芯片陣列保持在-50°C的工作溫度。



近紅外銦镓砷探測器陣列的主要特點:

  • 5×5陣列近紅外探測器采用In0.47Ga0.53As吸收器設計,可在950nm至1650nm的寬波長範圍內(nei) 工作

  • 設計用於(yu) 在各種環境溫度下運行,其中使用低功率兩(liang) 級熱電冷卻器冷卻陣列溫度

  • 針對0.1ns至20ns激光雷達脈衝(chong) 檢測的定製設計,具有高達50MHz的高重複頻率

  •    NIR InGaAs光子探測器陣列具有好的的偏置電壓穩定性

  •    每光子約75,000電子的高增益,足夠高以允許50Ω射頻前置放大器;無需進行跨阻抗匹配

  •    低噪聲因子


NIR陣列式光電探測器主要国产成人在线观看免费网站:

       1550係列5x5近紅外光電探測器係列設計用於(yu) 激光雷達係統、三維激光雷達成像和環境監測国产成人在线观看免费网站。該NIR InGaAs光子探測器陣列針對0.5ns至20ns的激光脈衝(chong) 長度進行了優(you) 化。25個(ge) 探測器中的每個(ge) 探測器都分別連接到封裝中的專(zhuan) 用引腳,在封裝的四麵都有公共陰極連接。能夠連接到25個(ge) 像素中的任何一個(ge) 提供了多個(ge) 級別的靈活性。例如,離散放大InGaAs光子探測器陣列可以連接成四分之一配置或作為(wei) 單個(ge) 寬麵積探測器。

NIR InGaAs探測器陣列作為(wei) 50Ω係統的電子放大提供了額外的設計功能靈活性,使用現成的50Ω電子放大。陣列設計為(wei) 在脈衝(chong) 檢測模式下以恒定偏置運行,以連續模式運行,進一步降低了電氣係統設計的複雜性,並提供了許多選項來將DAPD探測器陣列係統與(yu) 模擬到數字采樣係統、幀抓取器等進行集成。



近紅外探測器陣列的規格:          


注:下表的數據規格均是在封裝環境溫度為(wei) -45°C時得出的


參數

DAPDNIR 5x5 Array 1550 series 100 µm Pitch

單位

有效區域尺寸

500 by 500

µm2

有效區域單像素

90 by 90

µm2

像素數

25

-

光子檢測效率@1064nm (PDE)1

15

%

光譜響應範圍(λ)

950-1650

nm

單光電子增益 (M)

1x105

-

過量噪聲係數

1.05

-

暗計數率(單像素)

4

MHZ

工作偏置

50-70

V

上升時間(10%- 90%)

600

ps

單放大通道恢複時間(-35℃時)

50

ns

絕對額定值

損傷(shang) 閾值

0.5

nJ

工作電流(反向偏置)

50

μA

工作電壓

-(Vop+4)2

V

(1)光子檢測效率包括後脈衝(chong) 。

(2)靈敏度的工作偏置Vop在出廠前測試後提供。


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