Hinds探測器係統專(zhuan) 門為(wei) 高頻光信號探測所設計,適合配合光彈調製器進行測量。
Hinds探測器的特征:
頻率響應:DC至光彈調製器的調製頻率幾倍
極低的暗電流或者背景直流
集成預放.
將AC與(yu) DC型號進行分離
APD-100探測器模塊
特征
電源:雙極,± 12V
操作溫度:-10° to 50° C
高靈敏度,大口徑(19.6 mm2) Si APD
探測信號覆蓋DC到450kHz
通過電位計調節增益,
可以選擇側(ce) 麵或者背麵固定
緊湊、獨立、輕巧
包括電源和post mount
探測器尺寸大小為(wei) 4” x 3” x 1.4”,兩(liang) 個(ge) 1/4/-20螺紋孔用於(yu) 固定。
APD-100 DETECTION CHARACTERISTICS | ||||||||
MODEL | TYPE | SPECTRAL RANGE (NM) | PEAK SENSITIVITY WAVELENGTH, λ | PHOTODIODE DIAMETER
| EFFECTIVE ACTIVE AREA
| FREQUENCY BANDWIDTH (3dB) | ||
001 | Si-APD | 200-1000nm | 620nm | 5mm | 19.6mm2 | DC to 450kHz | ||
Maximum light input power for linear response(632.8nm laser) | ||||||||
Minimum Gain | Maximum Gain | |||||||
250 uW | 5uW | |||||||
Detector DC output(into a 5.6 k load @ Maximum light input | ||||||||
Minimum Gain | Maximum Gain | |||||||
1.3 VDC | 8.5VDC |
国产欧美在线標簽:雪崩二極管,APD,Hinds探測器係統,光彈調製器