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半導體中的光誘導自旋取向及其自旋電子學国产成人在线观看免费网站

發布時間:2023-09-28 16:20:59 瀏覽量:2806 作者:Leon

摘要

對高速計算和高密度存儲(chu) 的持續需求推動了對固態係統中旋轉的快速有效控製的追求,了解固態自旋係統的基礎物理可以增強人們(men) 實現這些目標的能力。

正文


半導體(ti) 中的光誘導自旋取向及其自旋電子學国产成人在线观看免费网站


半導體(ti) 由於(yu) 自旋與(yu) 其他自由度之間具有有趣的耦合效應,是研究磁現象的有利平台。它們(men) 還與(yu) 當前成功的技術兼容,例如互補金屬氧化物半導體(ti) ,這使人們(men) 當前的技術時代成為(wei) 可能。


通常,這些材料中感興(xing) 趣的載流子是電子,因為(wei) 它們(men) 往往是可移動和可調諧的。電子的兩(liang) 個(ge) 基本固有性質是電荷和自旋,它們(men) 分別受到電場和磁場的影響。因此,提供了兩(liang) 種不同的方法來與(yu) 這個(ge) 粒子相互作用。操縱電子的電荷是電子學的基礎,而自旋電子學旨在通過自旋控製係統中的電子。自旋控製的標準方法涉及鐵磁性材料,它可以通過電流在磁性狀態之間切換,外部域,或者兩(liang) 者兼而有之。盡管永久磁鐵是shou選,因為(wei) 它們(men) 可以集成到當前的半導體(ti) 技術中,但它們(men) 通常是靜態的,速度很慢。另一方麵,材料中自旋的全光控製,通過偏振依賴的光學選擇規則實現,為(wei) 快速、無損和無磁鐵控製自旋信息提供了機會(hui) 。


光誘導自旋取向(OISO)是自旋注入的關(guan) 鍵因素,已在低維III-V和II-VI半導體(ti) 中用於(yu) 自旋電子国产成人在线观看免费网站。這些材料開創了自旋輸運、自旋記憶和自旋相幹性。對於(yu) 有效地傳(chuan) 輸、存儲(chu) 和操作自旋信息來說,這三個(ge) 屬性是必不可少的。


盡管像砷化镓這樣的半導體(ti) 材料有許多国产成人在线观看免费网站,並且可以製造成低維平台,但它們(men) 確實有局限性。這表現為(wei) 製造中的限製。例如,晶格匹配對異質結構施加了限製,因為(wei) 具有非常不同晶體(ti) 結構的材料在組合時不能很好地耦合。傳(chuan) 統的半導體(ti) 也傾(qing) 向於(yu) 形成三維結構,使得不配對的鍵更容易存在於(yu) 表麵。這些懸空鍵不僅(jin) 使這些係統中的表麵物理更加難以控製,而且使這些材料的薄膜變成準二維(2D)結構。幸運的是,在過去的二十年裏,一種新的材料出現了,它具有真正的二維性質和光學定向自旋的能力。


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