橢偏儀在位表征電化學沉積的係統搭建（二十五）- 全波段沉積過程的準在位測試分析-介電常數

正文

橢偏儀(yi) 在位表征電化學沉積的係統搭建（二十五）- 全波段沉積過程的準在位測試分析-介電常數

介電常數(、)

圖4-7(a，c)是不同沉積時間介電常數實部e1隨波長變化圖，與(yu) 折射率n的趨勢相似。隨著時間的變化，值發生變化。當沉積時間為(wei) 180s的時候，在500-800nm長波範圍，其值從(cong) 襯底的-20增加到-0.5，這也意味著新的物質沉積，導致襯底的信息減少。在沉積時間增加到360s和540s時，整體(ti) 上值比180s減小了3左右，在350nm附近出現一個(ge) 較明顯的波包，同時在550nm附近出現一個(ge) 波包。當沉積時間增加到720s之後，的值恢複到沉積180s附近，但是在500-800nm波段稍小，且在500nm附近出現波包。沉積時間為(wei) 900s時，值的變化和720s一致，但是出現的波包位置大概在530nm附近。當時間為(wei) 1080s時，在300-500nm波段其值和720s一樣，在長波段稍大，且出現了500nm和600nm附近的兩(liang) 個(ge) 波包。從(cong) 圖4-7(a，c)可以看出隨著沉積的變化，沉積的CU₂O導致值在500-600nm的時候有額外的峰出現，且和吸收係數一樣存在紅移現象。

圖4-7(b，d)是不同沉積時間下測得的介電常數虛部，隨著時間的變化，值發生變化。當沉積時間為(wei) 180s的時候，在500-800nm的長波範圍，其值大概從(cong) 襯底的0增加到4，同樣也意味著新的物質沉積，導致襯底的信息減少。在沉積時間增加到360s時，和180s比，出現了兩(liang) 個(ge) 比較明顯的波包，大約在400nm和590nm附近。當沉積時間增加到540s之後，的值隨著波長減小，在600nm到800nm波段接近0，且在470nm和550nm附近出現了波包。沉積時間為(wei) 720s時，其變化和360s一致，但是出現的波包位置大概在400nm和550nm附近且波包變得更大。當時間為(wei) 900s時，在300-500nm波段其值和360s一樣，在400nm、500nm和600nm附近出現波包。時間為(wei) 1080s時，變換趨勢和900s相同，隻是波包在400nm、530nm和680nm附近出現。從(cong) 圖4-7(b，d)可以看出隨著沉積的變化，沉積的CU₂O導致值在540s的時候zui為(wei) 特殊，可能是由於(yu) 沉積厚度引起。同樣的，也使得在500nm-600nm波段有新的峰出現，它也歸因於(yu) 沉積物的出現。

圖4-7不同沉積時間得到的橢偏數據圖(a，c),(b，d)

圖4-8是相對於(yu) 0s時不同沉積時間的改變Δ隨波長的變化圖。可以看到相對於(yu) 沒有沉積時，除了540s以外，其餘(yu) 的Δ在300到530±20nm波段為(wei) 負值，在530±20到800nm波段為(wei) 正值，且變化趨勢一致。540s的Δ在整個(ge) 波段除了580nm和660nm兩(liang) 個(ge) 點以外都是負值，但是在整體(ti) 上的變化趨勢和其餘(yu) 時間大致一樣。說明隨著時間增加，沉積表麵對光的響應一直在變化，故而沉積的物相及表麵粗糙度在變化。

圖4-8相對於(yu) 0s時不同沉積時間的改變Δ隨波長的變化圖

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