對沉積厚度分析知,沉積速率會(hui) 隨著時間會(hui) 變化。CU2O薄膜沉積的生長方式可能是層狀生長和島狀生長。當為(wei) 層狀生長時算出平均沉積速率為(wei) 0.34±0.05nm/s,與(yu) 之前假設的庫倫(lun) 效率比,層狀生長的庫倫(lun) 轉換效率為(wei) 36%。但是層狀擬合曲線和擬合得到的厚度差別大,用非線性擬合得到了比較好的結果,此時沉積厚度隨時間的變化關(guan) 係式d=0.005t0.72nm/s,平均庫倫(lun) 轉換效率為(wei) 50%。故而又對180s和360s得到的橢偏數據以島狀生長方式用EMA模型進行擬合,得到了不同的形狀因子與(yu) 覆蓋率。
展示全部
橢偏儀(yi) 在位表征電化學沉積的係統搭建(三十)- 厚度的演變-層狀模型
4.3.5.1層狀模型
通過層狀生長模型(圖4-17)擬合得到的沉積不同時間的薄膜厚度如表4-4所示,可以看到擬合出來的厚度隨時間的增加而增加。在層狀生長方式前提下,則可以通過計算得到每段時間的平均生長速率,如表4-4所示。可以看到計算出的沉積速度是有變化的,得到了平均生長速度為(wei) 0.34±0.05nm/s。與(yu) 之前假設庫倫(lun) 效率100%理論計算的沉積速度0.94nm/s相比,沉積的平均庫倫(lun) 轉換效率是36%。
圖4-17層狀生長示意圖
1、線性擬合
對得到的厚度隨時間變化進行線性擬合得到的結果如圖4-18所示,得到的厚度時間函數如式(4-1)。
從(cong) 式(4-1)知擬合得到的沉積速率為(wei) 0.40nm/s與(yu) 各個(ge) 時間計算得到的平均沉積速率有差異,且從(cong) 擬合曲線結果來看其擬合匹配度不高,薄膜的沉積過程中厚度隨時間的變化不是線性的,隨著沉積時間的增加,沉積速率在改變,通過線性擬合得到的生長速率不適於(yu) 該沉積過程中。故而層狀生長假設不適用整個(ge) 薄膜沉積的過程。
圖4-18沉積厚度隨時間的變化及線性擬合圖
2、非線性擬合
對得到的厚度時間點進行非線性擬合,得到的結果如圖4-19所示,可以看到該擬合效果明顯比線性擬合效果要好,得到的厚度時間關(guan) 係如式(4-2)所示。
對上式一次求導得到CU2O薄膜沉積速率隨時間的變化關(guan) 係,如式(4-3)所示。
經過計算得到沉積1080s的平均生長速率為(wei) 0.47nm/s,和前麵假設庫倫(lun) 效率100%的沉積速率相比,得到沉積的平均庫倫(lun) 轉換效率為(wei) 50%。
圖4-19沉積厚度隨時間的變化及非線性擬合圖
非線性擬合曲線和不同時間厚度吻合較好,這標誌著沉積生長模式可能是島狀生長,如圖4-20所示。島狀生長達到一定時間後即當單個(ge) 的島足夠大使得其相互接觸時,它和層狀生長模式時薄膜的對光相應的變化將越來越小。所以在沉積過程中可能開始一段時間是島狀生長,厚度隨時間的變化是非線性的。一定時間以後島狀生長與(yu) 層狀生長區別不大,厚度隨時間的變化是線性的。結合實驗沉積情況以及擬合厚度曲線分析180s和360s兩(liang) 個(ge) 時間點有可能是島狀生長模式,則可對180s和360s兩(liang) 個(ge) 沉積時間得到的橢偏數據用EMA模型進行擬合進一步分析。
圖4-20島狀沉積示意圖
4.3.5.2島狀模型
在島狀生長的假設下對180s和360s沉積的數據用EMA模型在短波段300-500nm進行了模擬,擬合光學模型圖如圖4-21所示,其中ITO-Soul層由0s時整體(ti) 等效,並由逐點擬合得到其n和k,溶液和沉積的CU2O等效為(wei) 中間混合層,這裏溶液的n和k同樣用0s時測試擬合得到的代替。zui下麵一層為(wei) Au/Si基底,其n和k由單獨測試基底得到。同樣通過分段擬合,得到相應沉積時間下的光學常數n、k,介電常數、
及厚度d。
圖4-21島狀生長擬合光學模型示意圖
圖4-22所示是擬合得到的沉積180s和沉積360s時300-500nm的Psi、Delta值和實驗值的對比圖。相應的擬合誤差(RMSE)分別為(wei) 0.45和0.16,擬合參數如表4-5所示。從(cong) 圖(a)中看到180s時的Psi值擬合實驗值和擬合值比較貼合,但是Delta值在370nm後擬合效果不匹配。從(cong) 圖(b)中看到,360s時整體(ti) 上擬合效果都比180s要好,其擬合誤差是180s的三分之一。這說明360s更適合用該模型進行擬合。
圖4-22EMA實驗數據和擬合數據對比(a)180s;(b)360s
從(cong) 表4-5中知,對於(yu) CU2O層:180s的厚度是146.38nm,360s的厚度為(wei) 296.77nm,都大於(yu) 層狀擬合得到的值。可以看到360s的形狀因子從(cong) 180s的0.59增加到0.93以及其覆蓋增加從(cong) 180s的37.64%增加到39.72%,說明隨著沉積時間的增加,薄膜不僅(jin) 在縱向厚度上有所增加,而且在沉積的顆粒形狀及橫向覆蓋率上也有變化。由沉積1080s的SEM圖可知,CU2O薄膜表麵存在大小不等的不規則塊狀,在沉積過程中其形狀是發生變化,與(yu) 這裏擬合的形狀因子變化一致。覆蓋率的變化不大,說明成核方式更可能是瞬時成核。表4-5中沉積180s擬合得到的中心能量中4.05eV,和前麵中心能類似,其對應CU2O的E1A激子係列;360s中的2.89eV對應CU2O的EOB激子係列。
圖4-23是擬合得到的溶液混合層(CU2O-Sol)及CU2O層的n、k對比圖。從(cong) 圖4-23(a)n值來看,沉積360s對應容液混合層和CU2O層的值整體(ti) 上分別比180s的要大。180s的混合層曲線不存在明顯的波包,CU2O層存在330nm附近的波包。360s的混合層曲線存在400nm附近的波包,CU2O層對應的波包在480nm附近。從(cong) 圖4-23(b)k值來看,整體(ti) 上180sCU2O層對應的值比其餘(yu) 三個(ge) 都大,但是其變化規律和180s對應的混合層一致,都存在400nm附近的波包。360s混合層和CU2O層對應的曲線變化規律一致,存在的波包和180s的一致。
圖4-23不同沉積時間擬合得到的CU2O和溶液混合層與(yu) 和CU2O(a)n;(b)k;(c)ε1和(d)ε2
從(cong) 圖4-23(c)值來看,180s的CU2O層對應的全為(wei) 負值且比其他曲線都要小,在550nm附近出現一個(ge) 比較明顯的波包;混合層的曲線對應的都是正值,且在550nm以後有增大趨勢。對360s混合層的值都為(wei) 正值,CU2O層對應的有正有負,都在450nm附近存在波包。從(cong) 圖4-23(d)ε2值來看,和k值類似,整體(ti) 上180sCU2O層對應的值比其餘(yu) 三個(ge) 都大,但是其變化規律和180s對應的混合層一致,都存在360nm和490nm附近的波包。360s混合層和CU2O層對應的曲線變化規律一致,和180s比,其存在的波包隻在400nm附近有一個(ge) 。
4.3.6小結
本小節主要是對準在橢偏數據位擬合得到的光學常數n、k,介電常數、
以及對擬合的得到的其他參數,如中心能量、展寬等進行分析。
首先通過300nm-800nm波段擬合得到的n、k值知該體(ti) 係測不太適合長波段測試,其次對ε1、ε2在300-500nm波段擬合得到的數據比較光滑,與(yu) 0s相比其餘(yu) 沉積時間在300-400nm波段出現新的波包,對應CU2OE1A激子係列吸收峰,0s時370nm附近出現的波包隨著沉積時間的增加有紅移的趨勢。相對於(yu) 180s,介電常數實部和虛部相變化Δ和Δ
以及變化率,反映出沉積體(ti) 係在525-600nm波段對光的響應存在跳變,可能由等離子體(ti) 共振導致。
其次,從(cong) 擬合得到的中心能量知,存在CU2O的E0A、E0B、E0C、E0D、E1A和E1B激子吸收峰,其能級壽命在10-16-10-14s。擬合計算得到的電導率在104S/m數量級。
zui後,對沉積厚度分析知,沉積速率會(hui) 隨著時間會(hui) 變化。CU2O薄膜沉積的生長方式可能是層狀生長和島狀生長。當為(wei) 層狀生長時算出平均沉積速率為(wei) 0.34±0.05nm/s,與(yu) 之前假設的庫倫(lun) 效率比,層狀生長的庫倫(lun) 轉換效率為(wei) 36%。但是層狀擬合曲線和擬合得到的厚度差別大,用非線性擬合得到了比較好的結果,此時沉積厚度隨時間的變化關(guan) 係式d=0.005t0.72nm/s,平均庫倫(lun) 轉換效率為(wei) 50%。故而又對180s和360s得到的橢偏數據以島狀生長方式用EMA模型進行擬合,得到了不同的形狀因子與(yu) 覆蓋率。
了解更多橢偏儀(yi) 詳情,請訪問上海昊量光電的官方網頁:
https://www.weilancj.com/three-level-56.html
更多詳情請聯係昊量光電/歡迎直接聯係昊量光電
關(guan) 於(yu) 昊量光電:
上海昊量光電設備有限国产黄色在线观看是光電国产欧美在线專(zhuan) 業(ye) 代理商,国产欧美在线包括各類激光器、光電調製器、光學測量設備、光學元件等,涉及国产成人在线观看免费网站涵蓋了材料加工、光通訊、生物醫療、科學研究、國防、量子光學、生物顯微、物聯傳(chuan) 感、激光製造等;可為(wei) 客戶提供完整的設備安裝,培訓,硬件開發,軟件開發,係統集成等服務。
您可以通過我們(men) 昊量光電的官方網站www.weilancj.com了解更多的国产欧美在线信息,或直接來電谘詢4006-888-532。
參考文獻
[1] WONG H S P, FRANK D J, SOLOMON P M et al. Nanoscale cmos[J]. Proceedings of the IEEE, 1999, 87(4): 537-570.
[2] LOSURDO M, HINGERL K. ellipsometry at the nanoscale[M]. Springer Heidelberg New York Dordrecht London. 2013.
[3] DYRE J C. Universal low-temperature ac conductivity of macroscopically disordered nonmetals[J]. Physical Review B, 1993, 48(17): 12511-12526. DOI:10.1103/PhysRevB.48.12511.
[4] CHEN S, KÜHNE P, STANISHEV V et al. On the anomalous optical conductivity dISPersion of electrically conducting polymers: Ultra-wide spectral range ellipsometry combined with a Drude-Lorentz model[J]. Journal of Materials Chemistry C, 2019, 7(15): 4350-4362.
[5] 陳籃,周岩. 膜厚度測量的橢偏儀(yi) 法原理分析[J]. 大學物理實驗, 1999, 12(3): 10-13.
[6] ZAPIEN J A, COLLINS R W, MESSIER R. Multichannel ellipsometer for real time spectroscopy of thin film deposition from 1.5 to 6.5 eV[J]. Review of Scientific Instruments, 2000, 71(9): 3451-3460.
[7] DULTSEV F N, KOLOSOVSKY E A. Application of ellipsometry to control the plasmachemical synthesis of thin TiONx layers[J]. Advances in Condensed Matter Physics, 2015, 2015: 1-8.
[8] DULTSEV F N, KOLOSOVSKY E A. Application of ellipsometry to control the plasmachemical synthesis of thin TiONx layers[J]. Advances in Condensed Matter Physics, 2015, 2015: 1-8.
[9] YUAN M, YUAN L, HU Z et al. In Situ Spectroscopic Ellipsometry for Thermochromic CsPbI3 Phase Evolution Portfolio[J]. Journal of Physical Chemistry C, 2020, 124(14): 8008-8014.
[10] 焦楊景.橢偏儀(yi) 在位表征電化學沉積的係統搭建.雲(yun) 南大學說是論文,2022.
[11] CANEPA M, MAIDECCHI G, TOCCAFONDI C et al. Spectroscopic ellipsometry of self assembLED monolayers: Interface effects. the case of phenyl selenide SAMs on gold[J]. Physical Chemistry Chemical Physics, 2013, 15(27): 11559-11565. DOI:10.1039/c3cp51304a.
[12] FUJIWARA H, KONDO M, MATSUDA A. Interface-layer formation in microcrystalline Si:H growth on ZnO substrates studied by real-time spectroscopic ellipsometry and infrared spectroscopy[J]. Journal of Applied Physics, 2003, 93(5): 2400-2409.
[13] FUJIWARA H, TOYOSHIMA Y, KONDO M et al. Interface-layer formation mechanism in (formula presented) thin-film growth studied by real-time spectroscopic ellipsometry and infrared spectroscopy[J]. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, 1999, 60(19): 13598-13604.
[14] LEE W K, KO J S. Kinetic model for the simulation of hen egg white lysozyme adsorption at solid/water interface[J]. Korean Journal of Chemical Engineering, 2003, 20(3): 549-553.
[15] STAMATAKI K, PAPADAKIS V, EVEREST M A et al. Monitoring adsorption and sedimentation using evanescent-wave cavity ringdown ellipsometry[J]. Applied Optics, 2013, 52(5): 1086-1093.
[16] VIEGAS D, FERNANDES E, QUEIRÓS R et al. Adapting Bobbert-Vlieger model to spectroscopic ellipsometry of gold nanoparticles with bio-organic shells[J]. Biomedical Optics Express, 2017, 8(8): 3538.
[17] ARWIN H. Application of ellipsometry techniques to biological materials[J]. Thin Solid Films, 2011, 519(9): 2589-2592.
[18] ZIMMER A, VEYS-RENAUX D, BROCH L et al. In situ spectroelectrochemical ellipsometry using super continuum white laser: Study of the anodization of magnesium alloy [J]. Journal of Vacuum Science & Technology B, 2019, 37(6): 062911.
[19] ZANGOOIE S, BJORKLUND R, ARWIN H. Water Interaction with Thermally Oxidized Porous Silicon Layers[J]. Journal of The Electrochemical Society, 1997, 144(11): 4027-4035.
[20] KYUNG Y B, LEE S, OH H et al. Determination of the optical functions of various liquids by rotating compensator multichannel spectroscopic ellipsometry[J]. Bulletin of the Korean Chemical Society, 2005, 26(6): 947-951.
[21] OGIEGLO W, VAN DER WERF H, TEMPELMAN K et al. Erratum to ― n-Hexane induced swelling of thin PDMS films under non-equilibrium nanofiltration permeation conditions, resolved by spectroscopic ellipsometry‖ [J. Membr. Sci. 431 (2013), 233-243][J]. Journal of Membrane Science, 2013, 437: 312..
[22] BROCH L, JOHANN L, STEIN N et al. Real time in situ ellipsometric and gravimetric monitoring for electrochemistry experiments[J]. Review of Scientific Instruments, 2007, 78(6).
[23] BISIO F, PRATO M, BARBORINI E et al. Interaction of alkanethiols with nanoporous cluster-assembled Au films[J]. Langmuir, 2011, 27(13): 8371-8376.
[24] 李廣立. 氧化亞(ya) 銅薄膜的製備及其光電性能研究[D]. 西南交通大學, 2016.
[25] 董金礦. 氧化亞(ya) 銅薄膜的製備及其光催化性能的研究[D]. 安徽建築大學, 2014.
[26] 張楨. 氧化亞(ya) 銅薄膜的電化學製備及其光催化和光電性能的研究[D]. 上海交通大學材料科 學與(yu) 工程學院, 2013.
[27] DISSERTATION M. Cellulose Derivative and Lanthanide Complex Thin Film Cellulose Derivative and Lanthanide Complex Thin Film[J]. 2017.
[28] NIE J, YU X, HU D et al. Preparation and Properties of Cu2O/TiO2 heterojunction Nanocomposite for Rhodamine B Degradation under visible light[J]. ChemistrySelect, 2020, 5(27): 8118-8128.
[29] STRASSER P, GLIECH M, KUEHL S et al. Electrochemical processes on solid shaped nanoparticles with defined facets[J]. Chemical Society Reviews, 2018, 47(3): 715-735.
[30] XU Z, CHEN Y, ZHANG Z et al. Progress of research on underpotential deposition——I. Theory of underpotential deposition[J]. Wuli Huaxue Xuebao/ Acta Physico - Chimica Sinica, 2015, 31(7): 1219-1230.
[31] PANGAROV n. Thermodynamics of electrochemical phase formation and underpotential metal deposition[J]. Electrochimica Acta, 1983, 28(6): 763-775.
[32] KAYASTH S. ELECTRODEPOSITION STUDIES OF RARE EARTHS[J]. Methods in Geochemistry and Geophysics, 1972, 6(C): 5-13.
[33] KONDO T, TAKAKUSAGI S, UOSAKI K. Stability of underpotentially deposited Ag layers on a Au(1 1 1) surface studied by surface X-ray scattering[J]. Electrochemistry Communications, 2009, 11(4): 804-807.
[34] GASPAROTTO L H S, BORISENKO N, BOCCHI N et al. In situ STM investigation of the lithium underpotential deposition on Au(111) in the air- and water-stable ionic liquid 1-butyl-1-methylpyrrolidinium bis(trifluoromethylsulfonyl)amide[J]. Physical Chemistry Chemical Physics, 2009, 11(47): 11140-11145.
[35] SARABIA F J, CLIMENT V, FELIU J M. Underpotential deposition of Nickel on platinum single crystal electrodes[J]. Journal of Electroanalytical Chemistry, 2018, 819(V): 391-400.
[36] BARD A J, FAULKNER L R, SWAIN E et al. Fundamentals and Applications[M]. John Wiley & Sons, Inc, 2001.
[37] SCHWEINER F, MAIN J, FELDMAIER M et al. Impact of the valence band structure of Cu2O on excitonic spectra[J]. Physical Review B, 2016, 93(19): 1-16.
[38] XIONG L, HUANG S, YANG X et al. P-Type and n-type Cu2O semiconductor thin films: Controllable preparation by simple solvothermal method and photoelectrochemical properties[J]. Electrochimica Acta, 2011, 56(6): 2735-2739.
[39] KAZIMIERCZUK T, FRÖHLICH D, SCHEEL S et al. Giant Rydberg excitons in the copper oxide Cu2O[J]. Nature, 2014, 514(7522): 343-347.
[40] RAEBIGER H, LANY S, ZUNGER A. Origins of the p-type nature and cation deficiency in Cu2 O and related materials[J]. Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics, 2007, 76(4): 1-5.
[41] 舒雲(yun) . Cu2O薄膜的電化學製備及其光電化學性能的研究[D]. 雲(yun) 南大學物理與(yu) 天文學院,2019.
展示全部