橢偏成像技術是為(wei) 適應各種器件和材料小而精的趨勢，在傳(chuan) 統橢偏技術的基礎上結合成像技術發展起來的一門測量技術。隨著納米技術的快速發展，該技術也呈現快速發展的趨勢，在材料科學、生物學、半導體(ti) 等很多領 域有著廣泛的国产成人在线观看免费网站。
橢偏儀(yi) （一）-橢偏成像技術簡介
橢偏成像技術是一種在傳(chuan) 統橢偏技術和光學成像係統基礎上發展而來的，以charge coupLED device (ccd)或 complementary metal-oxide-semiconductor transistor（cmos）為(wei) 探測器實現高橫向分辨率的橢偏測量技術。
隨著各種技術的發展，傳(chuan) 統橢偏測量技術已經無法滿足測量要求。從(cong) 根本的測量原理來看，傳(chuan) 統橢偏測量技術測量時采用的是光斑照射區平均測試方法，分析的數據是全部光斑照射區域內(nei) 樣品待測參數的平均值，這不僅(jin) 難以準確地檢測分析小於(yu) 光斑照射區域內(nei) 待測對象的微小變化，對於(yu) 待測參數分布不均勻的樣品也會(hui) 得到錯誤的結果，無法 滿足對樣品性能的表征要求。另外，傳(chuan) 統橢偏儀(yi) 橫向分辨率主要取決(jue) 於(yu) 光斑直徑和樣品台位移精度，其光斑直徑一般為(wei) 3-25 mm，每次測量時隻能獲得當前光斑照射區域內(nei) 的信息，需要移動樣品台進行多次測量才能獲得大麵積區域內(nei) 的光學信息，測量效率受到嚴(yan) 重影響。在這種情況下，提高橢偏測量的空間分辨率和測量效率成了必要研究的方向。
橢偏成像技術由傳(chuan) 統橢偏測量係統結合光學成像技術、圖像采集技術、計算機技術構成，縱向分辨率與(yu) 傳(chuan) 統橢偏測量術相當，膜厚測量精度可達埃級，同時具有高橫向分辨率、高靈敏度；可以對樣品表麵光學成像的每個(ge) 像元進行橢偏測量，得到微區特性的精確定位測量，一定程度上提高了對微納區域的表征能力，橫向分辨率達到微米級；還可以對同一光斑區域的多元樣品進行觀測，彌補了傳(chuan) 統測量技術的不足。目前，具有傳(chuan) 統橢偏測量技術和光學成像係統兩(liang) 者優(you) 點的橢偏成像技術發展迅猛，為(wei) 納米檢測、生物醫學、半導體(ti) 工業(ye) 、集成電路等領域的材料性能表征提供了較大便利。
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