對光譜型橢偏儀(yi) 校準結果受測量模型影響大的問題進行研究，提出一種不受測量模型影響的校準方法，即通過校準橢偏角實現光譜型橢偏儀(yi) 的校準。
光譜型橢偏儀(yi) 的校準（一）-橢偏儀(yi) 校準思路
在分立器件和集成電路的製造過程中常用到各種不同的薄膜，如熱氧化膜 (二氧化矽Si〇2薄膜）堯電介質膜 (Si3N4薄膜)等。薄膜厚度是一個(ge) 重要的參數，對各種薄膜厚度參數的精確、快速測定和控製，是保證器件質量、提高生產(chan) 效率的重要手段。光譜型橢偏儀(yi) 是半導體(ti) 和微電子領域使用廣泛的薄膜厚度測量儀(yi) 器。為(wei) 了保證光譜型橢偏儀(yi) 測量結果的準確可靠，通常會(hui) 使用薄膜厚度已知的膜厚標準樣片對橢偏儀(yi) 的薄膜厚度測量能力進行校準。一般情況下膜厚標準樣片的襯底材料為(wei) 矽，薄膜材料為(wei) 熱氧化生長的二氧化矽。
由光譜型橢偏儀(yi) 測量原理可知：橢偏儀(yi) 在測量薄膜厚度時，得到的直接測量量為(wei) 橢偏角（
和
），薄膜厚度量值是通過建立相應測量模型進行橢偏角擬合得到的。因此，橢偏角的測量準確度體(ti) 現了光譜型橢偏儀(yi) 的硬件性能，薄膜厚度的測量準確度體(ti) 現了光譜型橢偏儀(yi) 硬件和測量模型的綜合性能。測量模型是橢偏儀(yi) 的核心技術，出於(yu) 技術保護，各橢偏儀(yi) 生產(chan) 廠家都有自己的測量模型，這就導致使用不同廠家生產(chan) 的儀(yi) 器測量同一薄膜厚度時，結果會(hui) 出現較大的偏差，薄膜厚度的測量結果受測量模型的影響很大。為(wei) 了消除測量模型對光譜型橢偏儀(yi) 校準結果的影響，本文提出了一種基於(yu) 橢偏角的光譜型橢偏儀(yi) 校準方法。
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