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光譜型橢偏儀的校準(四)-樣片測量法

發布時間:2023-06-29 13:49:19 瀏覽量:2708 作者:Alex

摘要

樣片測量法是一種比空氣測量法更為(wei) 完善的橢偏角校準方法,它可以保證光譜型橢偏儀(yi) 橢偏角在較大範圍內(nei) 測量結果的準確可靠。

正文


光譜型橢偏儀(yi) 的校準(四)-樣片測量法


我們(men) 之前使用的空氣測量法是使用空氣和平行平晶作為(wei) 標準,對橢偏儀(yi) 特定橢偏角的測量結果進行驗證,但是這並不能保證橢偏角在全範圍內(nei) 的量值準確可靠。基於(yu) 以上分析,有必要給出一種更為(wei) 完善的橢偏角校準方法,以保證光譜型橢偏儀(yi) 橢偏角在較大範圍內(nei) 測量結果的準確可靠,我們(men) 稱他為(wei) 樣片測量法。


根據橢偏儀(yi) 測量流程可知,首先需要測量被測樣品得到橢偏角參數,然後建立測量模型通過擬合的方式得到薄膜的厚度。對於(yu) 光譜型橢偏儀(yi) 而言,不同材料、不同薄膜厚度的樣片,對應的橢偏參數是不相同的。假定被測樣品材料固定,則橢偏角和薄膜厚度建立了對應的關(guan) 係,使用不同厚度的薄膜樣片就可以實現橢偏角的校準,測量形式如圖1所示。


圖1 模型固定的橢偏儀(yi) 測量形式


目前,矽作為(wei) 較常用的半導體(ti) 材料,在半導體(ti) 和微電子領域中占據很大的比重,因此膜厚標準樣片的襯底材料為(wei) 矽,薄膜材料為(wei) 二氧化矽。按照公式



所示的數學模型編寫(xie) Matlab算法進行仿真得到二氧化矽薄膜的厚度,通過仿真可知:使用薄膜厚度為(wei) 2nm,50nm,500nm,3個(ge) 不同厚度的膜厚標準樣片即可覆蓋橢偏角的大部分範圍,具體(ti) 的薄膜厚度和覆蓋橢偏角的範圍見表1。


                  薄膜厚度/nm                  覆蓋範圍/(°)                Δ覆蓋範圍/(°)
                        2                         15-40                    120-180
                       50                         10-60                    100-220
                      500                         20-80                     90-270

表1 樣片覆蓋橢偏角的範圍


為(wei) 了實現橢偏角的校準,我們(men) 需要製備標稱厚度為(wei) 2nm,50nm,500nm的二氧化矽膜厚標準樣片。


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