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其中的 電子躍遷到激發態後，損耗光使得部分處於(yu) 激發光斑外圍的電子以受激發射的方式回到基態，其餘(yu) 位於(yu) 激發光斑中心的被激發電子則不受損耗光的影響，繼續以自發熒光的方式回到基態。由於(yu) 在受激發射過程中所發出的熒光和自發熒光的波長及傳(chuan) 播方向均不同，因此真正被探測器所接受到的光子均是由位於(yu) 激發光斑中心部分的熒光樣品通過自發熒光方式產(chan) 生的。由此，有效熒光的發光麵積得以減小，從(cong) 而提高了係統的分辨率。STED顯微術能實現超分辨的另一個(ge) 關(guan) 鍵在於(yu) 受激發射與(yu) 自發熒光相互競爭(zheng) 中的非線性效應。當損耗光照射在激發光斑的邊緣位置使得該處樣品中的電子發生受激發射作用時，部分電子不可避免地仍然會(hui) 以自發熒光的方式回到基態。然而當損 ...
射產(chan) 生的電子躍遷吸收帶，通過分析本征吸收的吸收帶我們(men) 可以從(cong) 中挑選處合適的低損耗的窗口區，從(cong) 而提高信號的傳(chuan) 輸效率。（2）非本征吸收損耗即雜質吸收，造成非本征吸收的原因可能是由於(yu) 工藝的不完善引入的了新的雜質導致雜質的吸收損耗。其中對非本征吸收影響比較大有兩(liang) 種：1. 過渡金屬離子Fe3+、Mn3+ 、Ni3+ 、Cu2+ 、Co2+ 、Cr3+等，這些過渡金屬離子在0.6um-1.6um波段範圍內(nei) 光吸收能力較強，光纖製造過程中，過渡金屬離子的數量應減少到十億(yi) 分之一以下，這樣可以將損耗控製1dB/km以下。2. 氫氧根離子（OH-），水分子中解析出來的OH-振動吸收導致信號衰減並呈現出三個(ge) 吸收峰：0. ...
能級就會(hui) 發生躍遷，同時也伴隨著散發出一定量的紅外光。由於(yu) 缺陷部位與(yu) 正常部位的激發能級和導電率都不相同，因此激發出的熒光強度也不同，缺陷部位輻射的熒光強度要弱一些，隻要利用圖像采集設備對發出的熒光進行采集就可以根據亮度差異找出缺陷。鎖相熱圖法（LIT）：當對處於(yu) 暗盒中的太陽能電池施加一個(ge) 脈衝(chong) 電壓時，分路電流就會(hui) 對太陽能電池的溫度分布造成一定的影響，隻要對太陽能電池放射出的溫度場進行成像就可以找出缺陷部位，這種檢測方法就叫做暗鎖相熱圖法（DLIT）；利用一個(ge) 具有周期特性的脈衝(chong) 光源對正負極斷路的太陽能電池進行照射，之後對其散發出的熒光進行成像，就可以根據熒光的強弱找出缺陷部位，這種方法就是開路照明鎖 ...
級以下的電子躍遷由於(yu) 泡利阻塞效應而受到抑製（圖三a）,導致發射率/吸收率降低.由於(yu) 拋光銅板的紅外反射率很高（〜100％）,而聚乙烯多孔膜是紅外透明的,因此多層石墨烯器件在拋光銅板上的透射率為(wei) 0.因此,可以將表麵多層石墨烯的發射率寫(xie) 為(wei) ε＝α＝ 1-R,其中ε,α和R是拋光銅板上的表麵多層石墨烯的發射率,吸收率和反射率.圖三d顯示了拋光銅板上多層石墨烯器件的原位反射率（RV / R0）.反射率測量表明,高於(yu) 3 V時,反射率明顯增加.這意味著高於(yu) 3 V的吸收/發射率降低與(yu) 圖2c一致.此外,我們(men) 發現在500 nm以下的反射率幾乎沒有變化.這表明離子液體(ti) 嵌入對於(yu) 調節長波長範圍內(nei) 的光學效應更有效。另外,將 ...
低能級電子層躍遷到高能級電子層。高能態的電子是不穩定的，它會(hui) 在極短的時間內(nei) （10-8s），以輻射光的形式釋放能量後，回到原來的能態。這時發出的光即為(wei) 熒光（fluorescence），其波長比激發光的波長要長，原理如圖2-6所示。利用物質對光吸收的高度選擇性，可製成各種濾片，吸收一定波長範圍的光或允許特定波長的光通過，用來激發不同的熒光素，產(chan) 生不同顏色的熒光。對於(yu) 熒光的激發波長一般都在紫外和可見波段，而對於(yu) 熒光的發射波段一般都在可見光波段觀察熒光一般都采用落射熒光觀察方式，就是激發光是由顯微物鏡照射到樣品上，而不是大家常見的在樣品下方進行透射照明的方式，當然也存在一些使用透射熒光的觀察方式，但是 ...
收入射光能量躍遷到導帶,產(chan) 生電子空穴對,這時候去掉激發光,材料導帶中的電子從(cong) 激發態回到基態,緩慢放出較長波長的光,放出的這種光就叫熒光.如果把熒光的能量--波長關(guan) 係圖作出來,那麽(me) 這個(ge) 關(guan) 係圖就是熒光光譜.電子從(cong) 激發態回到基態經曆的時間即為(wei) 熒光壽命.為(wei) 了評估異質結中載流子的分離和傳(chuan) 輸特性,可對異質結進行熒光壽命測試.上圖紅藍黑色曲線分別對應WS2,ReS2&WS2界麵,ReS2的熒光壽命.可以看到ReS2的熒光壽命幾乎沒有信號,由於(yu) ReS2區域的壽命比WS2和界麵區域的信號弱得多,因此在這種泵浦探測波長下,無法從(cong) ReS2到WS2傳(chuan) 輸光生載流子.所以從(cong) WS2到ReS2的光生載流子的時間動力學 ...
能級向高能級躍遷，測量在不同波長處的輻射強度就得到了紅外吸收光譜。拉曼光譜：光照射物質，發生散射，其中非彈性散射的部分，散射光頻率相對於(yu) 入射光頻率發生了一定變化，這部分非彈性散射被稱為(wei) 拉曼光譜。紅外光譜源於(yu) 分子中偶極矩的變化，拉曼光譜源於(yu) 極化率的變化。二、拉曼光譜與(yu) 紅外光譜活性判別法則1. 互排法則：有對稱中心的分子其分子振動對紅外和拉曼之一有活性，則另一非活性。2. 互允法則：無對稱中心的分子其分子振動對紅外和拉曼都是活性的。三、拉曼光譜與(yu) 紅外光譜關(guan) 係苯甲酸的紅外與(yu) 拉曼光譜1）相同點：紅外光譜和拉曼光譜都可以用來分析分子結構和化學組成，而且它們(men) 都屬於(yu) 分子振動光譜2）不同點：1. 紅外光譜是吸 ...
收能量從(cong) 基態躍遷到某個(ge) 激發態，再以輻射躍遷的方式發出熒光回到基態。激發停止之後，分子激發出的熒光強度降到激發最大強度時的1/e所需的時間被稱為(wei) 熒光壽命，它表示粒子在激發態存在的平均時間，一般被稱為(wei) 激發態的熒光壽命。熒光壽命僅(jin) 僅(jin) 與(yu) 熒光物質自身的結構和其所處的微環境的極性和粘度等條件有關(guan) ，而與(yu) 激發光強度、熒光團濃度無關(guan) ，因此通常來說是絕對的。通過測定熒光壽命，我們(men) 可以直接了解所研究的體(ti) 係所發生的變化，了解體(ti) 係中許多複雜的分子間作用過程。時間相關(guan) 單光子計數法（TCSPC）是目前測量熒光壽命的主要技術，其工作原理如下圖所示：使用一個(ge) 窄脈衝(chong) 激光激發樣品，然後檢測樣品發出的第一個(ge) 熒光光子到達光信號接收器的 ...
快即以無輻射躍遷的形式衰減到亞(ya) 穩態能級E2 上。由於(yu) Er3+ 在能級E2 上壽命較長，在其上的粒子數聚集越來越多，從(cong) 而在能級E2和E1之間形成粒子數的反轉分布。這樣，當具有1550 nm波長的光信號λEr通過這段摻鉺光纖時，處於(yu) 亞(ya) 穩態能級的粒子即以受激輻射的形式躍遷到基態，並產(chan) 生和入射光信號光（1550 nm）完全一樣的光子，從(cong) 而大大增加了信號光中的光子數量，也即實現了信號光在摻鉺光纖中輸出時不斷被放大的功能。因此，利用摻鉺光纖即可製成摻鉺光纖放大器EDFA。摻鉺光纖纖芯中鉺的摻雜濃度取決(jue) 於(yu) 光纖放大器的設計要求，通常摻雜濃度在100-1000×10-6 ，且集中在3-6 um的纖芯中。結語：光 ...
能量並從(cong) 價(jia) 帶躍遷到導帶，在天線表麵瞬間（10-14 s）生成光生載流子（電子）。電子在偏置電場的加速作用下定向遷移生成瞬態光電流，進而向外輻射太赫茲(zi) 波。理論上隻要外加電場足夠強，太赫茲(zi) 輻射就可以得到顯著的增強，但是實際實驗中過高的能量會(hui) 導致光電導開關(guan) 被損壞。另外半導體(ti) 基底、金屬電極的幾何結構與(yu) 泵浦激光脈衝(chong) 持續時間共同影響著光電導天線（光電導開關(guan) ）的性能。半導體(ti) 基底須具有高載流子遷移速率、極短的載流子壽命以及高擊穿閾值。使用不同的波段激發往往需要不同的基底，常用的半導體(ti) 基底材料有低溫生長的砷化镓（LT-GaAs）、藍寶石（RD-SOS）等。光學整流法在線性材料中，雙光束傳(chuan) 輸時相互不幹擾，可獨立傳(chuan) ...
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