系数一样存在红移现象。图4-7(b，d)是不同沉积时间下测得的介电常数虚部，随着时间的变化，值发生变化。当沉积时间为180s的时候，在500-800nm的长波范围，其值大概从衬底的0增加到4，同样也意味着新的物质沉积，导致衬底的信息减少。在沉积时间增加到360s时，和180s比，出现了两个比较明显的波包，大约在400nm和590nm附近。当沉积时间增加到540s之后，的值随着波长减小，在600nm到800nm波段接近0，且在470nm和550nm附近出现了波包。沉积时间为720s时，其变化和360s一致，但是出现的波包位置大概在400nm和550nm附近且波包变得更大。当时间为900s时，在3 ...
边缘有明显的红移，高达几十纳米，并伴有分布在样品表面上的小点。中心波长在内边缘的偏移可归因于图案化过程中材料本身的强烈退化。 然而，对于划线表征，内边缘起着相当小的作用。有趣的是，散布在样品表面的小红移点可以得出有关材料去除过程的结论。显然，会发生临界加热和爆炸性沸腾，产生不协调凝结并广泛分布在样品表面的飞溅物。这个假设已经在我们之前的研究和模拟中建立起来。图1.(A，B）PL发射的局部中心波长的空间分辨图像和(C，D）相应的准费米能级分裂（QFLS）。样品分别在zui佳通量为1.36和2.31 J cm-2时通过 （A，C）ns和（B，D）ps激光脉冲对样品进行图案化。如果您对高光谱暗场显微 ...
只是它发生了红移。对不同沉积时间相互对比，180s的变化值比较小，且看起来和其他时间有差异，这可能是由于沉积薄膜厚度引起。时间增加到360s以后，的变化趋势基本一致，只是360s比其他时间的小，且随着波长的增加其差别也变大。图4-11拟合得到的不同沉积时间薄膜的300-500nm波段的(a)n、(b)k及介电常数(c)实部和(d)虚部2、长波范围(500-800nm)图4-12是模拟得到的各个沉积时间的介电常数实部和虚部相对于1s的变化Δ和Δ以及相对于180s的变化率。图4-12(a)在300-600nm波段Δ为，600-800nm波段Δ为正值，整体的变化趋势。从图4-12(b)来看Δ除了36 ...
时间的增加有红移的趋势。相对于180s，介电常数实部和虚部相变化Δ和Δ以及变化率，反映出沉积体系在525-600nm波段对光的响应存在跳变，可能由等离子体共振导致。其次，从拟合得到的中心能量知，存在CU2O的E0A、E0B、E0C、E0D、E1A和E1B激子吸收峰，其能级寿命在10-16-10-14s。拟合计算得到的电导率在104S/m数量级。zui后，对沉积厚度分析知，沉积速率会随着时间会变化。CU2O薄膜沉积的生长方式可能是层状生长和岛状生长。当为层状生长时算出平均沉积速率为0.34±0.05nm/s，与之前假设的库伦效率比，层状生长的库伦转换效率为36%。但是层状拟合曲线和拟合得到的厚度 ...
发射的蓝移和红移的输出功率降低。虽然可以通过温度调谐来实现增益频谱的移位，但这并不广泛适用于室温操作的系统；因此，需要其他策略来调整增益频谱。本研究描述了调整QCL腔长以调谐增益谱。空腔长度是一个简单的后处理选择参数，因此非常适合于方便地调整QCL增益谱和选择峰值增益波长。对于这里提出的QCL，波长选择范围足够宽，可以跨越二氧化碳的整个振动-旋转吸收特征CO2。设计的量子级联激光器的中心发射频率为2326 cm−14.3um。相应的频带图如图1 A所示。活跃区和注入器一个周期的层序为26/17/22/18/19/19/18/21/17/21/15/27/15/38/11/13/36/14/ 3 ...
温度上的不同红移引起的。由于BTJ允许消除几乎所有具有较高电阻和光损耗的p导电材料，差分串联电阻已达到40-50Ω，非常适合高速器件。图1 高速1.55um基于inp的BTJVCSEL的示意图。该装置安装在电镀金假衬底上。在制造过程中去除InP衬底。n-触点和p-触点都可以在顶部访问。触点板电容被Min化。寄生设备由于我们的VCSEL的寄生响应可以通过一阶等效电路很好地建模，包含松弛振荡频率，固有阻尼和寄生滚降的三极滤波器函数可以很好地建模我们的VCSEL响应，允许提取几个固有参数。公式(1)中的常数项为激光器和探测器的量子效率差尽管参考其他设计中的器件在芯片直径为28um时表现出优异的高速性 ...
增益和腔模的红移随温度的不同而引起的。图1 高速1.55-um VCSEL的截面示意图插图：制作好的VCSEL器件图片因此，利用这一效应可以改善VCSEL器件的高温性能。InP是一种良好的热导体，由n包层组成，通过更好地冷却有源区域，也有助于实现高温操作。这些激光器的混合后镜由3.5对CaF2-ZnS和一层金组成。孔径为6um的器件在室温下的输出功率约为3mW。阈值电流和电压分别低至约1mA和0.9V。发现该频谱为单模，在相关电流和温度范围内，侧模抑制比至少为30dB。为了与商业收发模块兼容，该芯片被安装在发射器光学组件（TOSA）中。该模块包含一个光隔离器和光纤耦合器。图2显示了高速1.55 ...
1倾斜。这种红移现象是由于GO和PEDOT之间的π -π堆叠相互作用。在拉曼光谱中，红色曲线中的 441 cm−1、1434 cm−1和1505 cm−1三个特征峰表明PEDOT成功合成。1343 cm−1和1590 cm−1的特征峰（黑色曲线）分别对应SP2杂化碳原子的呼吸振动峰和碳环中SP2杂化原子的对称拉伸运动峰，即GO的特征峰（D和G）。同时，PEDOT在1434cm−1处(红色曲线)的特征峰分配给Cα = Cβ对称拉伸振动，PEDOT- Go样品的拉曼光谱移动到1427 cm−1处(图1C)。这种红移现象表明，PEDOT聚合物转变为类醌形式，从而使电导率增加。在PEDOT-GO的曲线 ...
D峰位有轻微红移。详细来说，石墨烯原始G峰移从1594cm−1移至 1582cm−1，而 O-Gr 的 2D 峰值从2676cm−1红移至2683cm−1。G峰和2D峰的轻微红移可能与石墨烯平面外的负偶极矩有关。这种负偶极矩会导致石墨烯的疏水性及其HOMO水平发生变化。此外，2450cm−1-光谱波段，可以分为D（1350 cm−1） 和D“振动模式（27250px−1）的组合，表示强度的增加。这一观察结果可以一致地通过C键键断裂以产生微小的空位来解释，这些空位会影响石墨烯声子色散中K点附近的现有频率。此外，这一特征可以诱导O-Gr成为均匀的薄膜，并改善了空穴传输/注入。通过FT-IR（图1b ...
峰明显变宽或红移，从39830px−1明显移至39740px−1。随后，在 3.9 V 时，再移至 39650px−1。这些变化表明，锂离子的插入导致碳晶格结构发生了变化。在放电过程中，由于锂离子和炭黑分离，在 2.9 V 时，D峰从1343.3蓝移到33595px−1。同样，G峰在 2.6 V 时恢复，回到39895px−1,在 2.5 V 时恢复到39952.5px−1。随着锂离子在充放电过程中的迁移，G峰和D峰的频率呈线性下降，然后增加。有趣的是，在LFP的两相变变之前，在3.6 V处观察到zui低R值（D峰的积分强度除以G峰的积分强度）。原位LFP/SWCNT电极在充放电过程中的拉曼光 ...
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